本文介绍了CCD和CMOS传感器的区别，包括电荷耦合转移过程，以及两者在灵敏度、功耗、信噪比等方面的参数对比。CCD在灵敏度和信噪比上占优，但功耗大、成本高；CMOS则以低功耗、低成本为特点，新一代产品在改善信噪比和灵敏度方面有所进步。同时，还简要回顾了三极管和场效应管的基本概念和应用。
最近在装维摄像头时，想起光电检测那门课的一个知识点，就是两种图像传感器的区别，总是和模电三极管和mos管记混，记录一下，做好区分。
术语
COMS：互补性金属半导体
CCD：电荷耦合器件，又分线阵CCD、面阵CCD
面阵CCD再分： FTCCD（帧转移型）、ILTCCD（行间转移型）
这里记录一下电荷耦合转移的过程
在二氧化硅层上置许多个电极，第一个电极加入高于周围电极的电压，使得其下吸引一定量的电荷
1、电极+10V电压，电极下形成势阱；
2、下一个电极升压到+10V，势阱连通，电荷部分转移，注意，此时前一个电极电压未降，所以是部分转移
3、前一个电极降压，电荷全部转到第二个势阱
4、如此不断改变电压，使信号电荷一位一位顺序传输
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