2周硬件新手快速入门笔记分享-day7-MOS管基础知识

MOS管基础知识

mos的基本结构

首先要知道MOS管是由三部分进行一个组成的
1.source源极
2.gate栅极
3.drain漏极
4.(N型MOS管)整个底部由一个P衬底,源极和漏极底下都有一个N,且底部和S(源极)相互连接
5.由于知道源极和漏极底下都有一个N,那么相当于每个底部都有一个PN结的二极管,如左图所示。又因为S和P相互连接,那么该端的二极管是没有的。就等价于S和D之间有一个人二极管。
6.为什么左图里面有电容呢?(电容的定义可以在:2周硬件新手快速入门笔记分享-day2了解),电容是俩端导体,中间是绝缘材料,那么空气可以理解为绝缘材料。所以源极和栅极中间有一个寄生的电容,栅极和漏极也有一个寄生的电容,漏极和源极也有一个寄生电容。

  • 故此N型MOS管的结构图就可以等效成我们底下的左图

MOS管结构图
由上面的描述可知

  1. SD中间有个二极管,所以箭头这个指向
  2. SG中间有个电容,SD之间有电容
  3. g和每个都隔了1个电容

在这里插入图片描述

mos管的导通条件

要导通闭合就要沿着箭头的方向把小竖线冲破了

  • Nmos管:当Vg-Vs小于Vth(mos管的导通电压),DS之间闭合(你可以理解成,Vg-Vs为g那边的水流高度,Vth可以理解成S那边的水流高度。当Vg-Vs也就是g那边水流高度小于这个箭头突破的方向的水流高度,那就意味着中间这个小竖线被突破了,然后DS就闭合了)(这样就去理解我们一开始的那句话,沿着箭头的方向突破
  • Pmos管,无非就是箭头的方向为反向。(我们可以记Nmos管(内mos,箭头朝向内,那么Pmos管就是朝外了))
    当Vg-Vs大于Vth(mos管的导通电压),DS之间闭合。
    Vg-Vs(g那边的水流高度)沿着箭头的方向突破了S那边的高度(也就是Vth)这样就实现了导通

认识一个用mos管简单点亮LED的电路

(Pmos管S极接地,Nmos管S极接电源)
在这里插入图片描述

  • 当左边的开关关闭的时候,5V的电压输入g极,然后Vgs就会有一个负的电压差,如果这个电压差小于nmos的导通电压(假设2V),那么该DS就可以导通,那么发光二极管就亮了

mos寄生电容问题

在这里插入图片描述
下图是一个Pmos管 S极作为电压输入口
在这里插入图片描述

gs之间存在一个寄生电容
这也就意味着,当5V电压进来的时候,这个虚线的电容会被充电到5V然后当开关断开的时候,这个电容会进行一个慢慢地放电。那我们怎么解决这个问题呢?,我们给这个电容再并联一个电阻,那么断开的时候,就是电阻去损耗能耗了

有人会问,为什么Pmos管S极作为电压的输入口?nMos管 D极作为电压的输入口?

1.Nmos管的内部结构是P衬底附带俩个NN ,然后内部是从D流过二极管,符合PN结结构
官方解释是:当P型MOS管的源极(Source)接地时,此时源极为最低电位,符合P型材料的特性,因此更容易实现PMOS管的导通状态。
然后根据nMOS管的内部结构就可以推出
当N型MOS管的源极(Source)接电源时,此时源极为最高电位,符合N型材料的特性,因此更容易实现NMOS管的导通状态。

mos的寄生二极管不能够忽略

寄生二极管在MOS晶体管中具有以下作用:

  1. 保护功能:在某些情况下,寄生二极管可以对电路进行过压保护。当输入信号或电源发生反向过电压时,寄生二极管会起到保护器件的作用,防止损坏。
  2. 影响开关速度:寄生二极管的存在可能会影响MOS晶体管的切换速度和性能。因此,在设计电路时需要考虑并尽量减小寄生二极管的影响。
  3. 增加功耗:寄生二极管的存在也会增加电路的功耗,因为在导通时会有额外的功耗。
  • 23
    点赞
  • 16
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 打赏
    打赏
  • 1
    评论
评论 1
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包

打赏作者

硬件工程小白-阿汤

你的鼓励将是我创作的最大动力

¥1 ¥2 ¥4 ¥6 ¥10 ¥20
扫码支付:¥1
获取中
扫码支付

您的余额不足,请更换扫码支付或充值

打赏作者

实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值