各种内存的区分

1.NandFlash:
存储容量：适用于大容量场景
擦写次数：擦写次数相对NorFlash较高
擦写方式：按块、页擦写，可擦写次数较多，读写速率相对较高；
缺点：整体寿命相对较短
常见产品：SSD(M.2,SSD),EMMC
总结：NamdFlash是IO设备，数据、地址、控制线都是共用的，需要软件区控制读取时序，所以不能像nor flash、内存一样随机访问，不能EIP（片上运行），因此不能直接作为boot(按块擦除，按页读取)
2.NorFlash:
存储容量：适用于存储容量小的场景(按字节存储)
擦写次数：擦写次数相对NandFlash较低；
擦写方式：按bit擦写，极少出现坏块，可靠性高，写入速率相对低，读取速率和NandFlash相差不大；
缺点：写入速度慢，可擦写次数相对低
总结：Norflash的有自己的地址线和数据线，可以采用类似于memory的随机访问方式，在norflash上可以直接运行程序，所以norflash可以直接用来做boot。norflash适合做代码存储并EIP的，nandflash适合用来作大量数据存储的。norflash的读取速度比nandflash稍快，但擦写速度比nandflash慢很多
*3.RAM,ROM:
**RAM:*即随机存储器，存储的内容能够按需任意取出或存入，但存储的内容掉电即丢失。RAM也没分为（SRAM,DRAM）
SRAM:不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
DRAM:每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。
因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积
*ROM:*只读存储器，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭而消失，也就是掉电不丢失。