模拟电子技术复试day2

半导体基础知识

半导体：一般都为四价元素材料。
本征半导体：纯净，没有杂质的半导体晶体
杂质半导体：增加了P（硼等三价杂质），N（磷等五价杂质）。N型半导体自由电子为多数载流子，P型半导体空穴为多数载流子。

PN结的形成及特性

形成

在P型和N型半导体接触的区域由于漂流作用和扩散作用电子会从P流向N型，达到动态平衡后，P型半导体剩下了负离子，N型半导体剩下正离子，所以形成了一个很薄的空间电荷区这就是所谓的PN结。

单向导通

电源正向接通（P接正，N接负）时导通，反向接通是不会导通，但是反向电压过大时会击穿二极管。

电容效应

扩散电容：正向接电源时。
势垒电容：反向接电源时，有正负离子的增加减少，所以可以看做电容，当电源为高频时，二极管会被短路。

二极管电路模型

理想模型

理想模型可以把二极管看做一个开关

恒压降模型

在理想模型的基础上，等效再加个直流电压源，用Uon表示，硅材料的0.7V，锗的就是0.3V。只有当二级管外的电压大于Uon时，整个电路才算导通。

折线模型

折线模型，又考虑了二级管本身的材料因素，必定有电阻，进一步完善。下面的伏安特性曲线里，折线的斜率就是二级管阻值，rD。

小信号模型（最重要）

补充一个知识点：二极管伏安特性曲线表达式（I=Is（e^u/UT-1））。
微变信号模型是在直流电压下二极管导通时，再加一个交流的小信号源。如果只考虑直流导通状态下的话，一个电压对应一个电流，这个点我们叫“直流工作点”或“静态工作点”，用Q表示。UDQ和IDQ。则UDQ和IDQ之比就是，该点直流电阻RD。

这个时候我们加上正弦的交流小信号，那么小信号带给这个Q点的影响就是正弦的波动。正弦量是变的对吧，没错。
那么，这个时候的阻值是多少呢？我们看下面的图，在交流小信号的影响下，横坐标我们取正弦电压的最大幅值差，纵坐标取交流信号产生的电流下最大幅值差。构成一个直角三角形，斜边斜率，就是这个交流影响下的等效电阻，用rd表示。