半导体基础知识
半导体:一般都为四价元素材料。
本征半导体:纯净,没有杂质的半导体晶体
杂质半导体:增加了P(硼等三价杂质),N(磷等五价杂质)。N型半导体自由电子为多数载流子,P型半导体空穴为多数载流子。
PN结的形成及特性
形成
在P型和N型半导体接触的区域由于漂流作用和扩散作用电子会从P流向N型,达到动态平衡后,P型半导体剩下了负离子,N型半导体剩下正离子,所以形成了一个很薄的空间电荷区这就是所谓的PN结。
单向导通
电源正向接通(P接正,N接负)时导通,反向接通是不会导通,但是反向电压过大时会击穿二极管。
电容效应
扩散电容:正向接电源时。
势垒电容:反向接电源时,有正负离子的增加减少,所以可以看做电容,当电源为高频时,二极管会被短路。
二极管电路模型
理想模型
理想模型可以把二极管看做一个开关
恒压降模型
在理想模型的基础上,等效再加个直流电压源,用Uon表示,硅材料的0.7V,锗的就是0.3V。只有当二级管外的电压大于Uon时,整个电路才算导通。
折线模型
折线模型,又考虑了二级管本身的材料因素,必定有电阻,进一步完善。下面的伏安特性曲线里,折线的斜率就是二级管阻值,rD。
小信号模型(最重要)
补充一个知识点:二极管伏安特性曲线表达式(I=Is(e^u/UT-1))。
微变信号模型是在直流电压下二极管导通时,再加一个交流的小信号源。如果只考虑直流导通状态下的话,一个电压对应一个电流,这个点我们叫“直流工作点”或“静态工作点”,用Q表示。UDQ和IDQ。则UDQ和IDQ之比就是,该点直流电阻RD。
这个时候我们加上正弦的交流小信号,那么小信号带给这个Q点的影响就是正弦的波动。正弦量是变的对吧,没错。
那么,这个时候的阻值是多少呢?我们看下面的图,在交流小信号的影响下,横坐标我们取正弦电压的最大幅值差,纵坐标取交流信号产生的电流下最大幅值差。构成一个直角三角形,斜边斜率,就是这个交流影响下的等效电阻,用rd表示。