半导体发光材料体系

半导体照明技术（第二版）第五章

1、成为半导体发光材料的条件：

这个知识点在前面的第三章已经叙述过：

5.1砷化镓

GaAs为闪锌矿结构，直接带隙半导体，带隙宽度为1.42eV，发射波长在900nm，近红外区，用于遥控器和光电耦合器。

5.2磷化镓

属于闪锌矿结构，间接跃迁型半导体，通过掺入不同的等电子陷阱发光中心，可以直接发射红、绿等颜色的光。主要缺陷：位错、镓空位（受主）、有害杂质（氧、铜）。镓空位还与杂质相互作用构成复合体（起非辐射复合的“消光”中心的作用），影响发光效率。

• 磷化镓绿色发光二极管的发光原理：掺入等电子陷阱N，N原子取代磷化镓晶体中的磷，N的电子亲和力比P大，N替代P后俘获电子，又考该电子的电荷俘获空位形成激子，激子复合发光具有较高的发光效率。
• 磷化镓红色发光二极管发光原理：掺入ZnO对等电子陷阱&#