半导体照明光源的发展和特征参量

最新推荐文章于 2022-09-09 11:29:40 发布
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分类专栏： 笔记
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半导体照明技术（第二版）第六章

发光二极管材料生长方法

  • 直接从熔体中生长出单晶：制造同质结构的便宜的LED，难以制成高性能的异质结和量子阱LED的合金层和复杂结构
  • 气相外延（VPE）：不能生长很薄的外延层和复杂结构。
  • 液相外延（LPE）：能生长高质量的LED材料，异质结，多用于GaP、GaAlAs
  • 分子束外延（MBE）及金属有机物化学气相沉积。

6.3高亮度LED芯片结构

芭芭拉♂
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×××有哪些激光领域杰出的院士？
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【光波电子学】期末复习资料汇总
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光度测量类有哪些最新发表的毕业论文呢？
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weixin_47278224的博客
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半导体照明技术（第二版）第五章 1、成为半导体发光材料的条件： 这个知识点在前面的第三章已经叙述过： 5.1砷化镓 GaAs为闪锌矿结构，直接带隙半导体，带隙宽度为1.42eV，发射波长在900nm，近红外区，用于遥控器和光电耦合器。 5.2磷化镓 属于闪锌矿结构，间接跃迁型半导体，通过掺入不同的等电子陷阱发光中心，可以直接发射红、绿等颜色的光。主要缺陷：位错、镓空位（受主）、有害杂质（氧、铜）。镓空位还与杂质相互作用构成复合体（起非辐射复合的“消光”中心的作用），影响发光效率。 磷化镓绿色发光二极管的
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weixin_47278224的博客
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导语：最为书本前面的章节，应该起到承上启下的作用，即让同学们回顾之前学到的知识，并了解将要学习的内容会用到哪些曾经学过的知识。从作用上来讲，应该更有利于同学们学习本书，但是从过来人的亲身体会来看，仍然有不少同学会在这一章卡壳，停滞不前。究其原因，无非是之前的相关课程没学好，比如说半导体物理，半导体器件物理，数字集成电路设计等等。再细一点看的话，应该是学得不够细致，当然，这跟老师的讲课风格有关，有些老师讲课以为学生都懂，有些需要展开来讲的知识点反而被一点带过了……。不管什么原因，现在开始学还来得及，这里特意将
半导体照明技术
weixin_47278224的博客
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半导体照明技术（第二版）第三章 半导体发光材料晶体导论 3.1晶体结构（本小结在固物、半物、集工、半材等先修课程中已学，这里只讲关键点） 3.1.4.1点缺陷 空位～肖特基缺陷；同时存在空位或填隙原子称为弗兰克尔缺陷 缺陷形成的定域能级可以成为辐射复合中心，即发光中心。发光中心分为结构缺陷型和杂质缺陷型。 结构缺陷也可以形成非复合中心。非复合中心俘获电子后，能量不是以光子的形式放出，而是转化为热，它的浓度增大时，光致发光强度减弱。 3.1.4.2线缺陷（位错） 位错是由于在各种应力作用下晶面
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