关于模拟CMOS集成电路第二章MOS器件物理基础中的公式推导

导语：最为书本前面的章节，应该起到承上启下的作用，即让同学们回顾之前学到的知识，并了解将要学习的内容会用到哪些曾经学过的知识。从作用上来讲，应该更有利于同学们学习本书，但是从过来人的亲身体会来看，仍然有不少同学会在这一章卡壳，停滞不前。究其原因，无非是之前的相关课程没学好，比如说半导体物理，半导体器件物理，数字集成电路设计等等。再细一点看的话，应该是学得不够细致，当然，这跟老师的讲课风格有关，有些老师讲课以为学生都懂，有些需要展开来讲的知识点反而被一点带过了……。不管什么原因，现在开始学还来得及，这里特意将一些重要公式进行推导，目的在于让同学们阅读课本时更加流畅。

• 首先讲第二章的2.2节：
  **公式一：**阈值电压
  
  《模集》课本上直接“由pn结理论可知…”，而要找到关于公式中这一项的完整来源，需要查看《半导体物理学》（第七版）的第160页、第173页和第175页。
  
  

要结合这三处的知识点才能推出耗尽区电荷Q dep的表达式。