半导体器件仿真实验

最新推荐文章于 2024-04-09 19:55:57 发布

做题想AC

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Matlab部分

一、实验目的

半导体器件理论部分有许多公式或方程，比较抽象而难懂。通过Matlab仿真，我们可以把一些重点的公式或方程转换成二维或三维函数图像，更直观地把它们展示出来。通过观察函数图像的特点，结合公式，能够相互印证，更好地领会公式或方程的物理意义和数学特点。

二、实验方案

在理论知识部分，主要讲解了PN结、BJT、MOSFET等章节，从中选取了一些重点内容，如正偏时PN结中性区内的少子浓度分布，BJT的转移特性和输出特性，MOS管的转移特性和输出特性等。我们给出了相关公式，让同学们独立把这些公式用Matlab编写出来，然后仿真得到对应的二维或三维函数图像。然后结合函数图像和公式，更好地领会课程内容

三、实验内容

3.1 正偏时PN结N区中性区内的少子浓度分布

1 少子浓度分布方程

Δpnx=pn0expqVkT-1⋅sinhWB-xLpsinhWBLp

2 仿真参数

3 实验要求

（1）以x和𝑉为自变量，Δpnx为因变量，自选WB，分别对WB >> Lp和WB << Lp两种情况进行仿真，得到它们的三维曲线。

（2）思考题：观察Δpnx 随x和𝑉的变化规律，比较两种情况下所得曲线的异同。

4 代码、仿真图像和思考题

代码（截图）

x=linspace(0,0.04,100);

v=linspace(0,0.6,100);

ni = 1e10;

ND = 1e16;

pn0 = 1e4;

Lp = 1e-3;

Wb = 1e-2;

q = 1.6e-19;

k = 1.38e-23;

T = 300;

[x,v] = meshgrid(x,v);

dp = pn0.*(exp(q*v/(k*T))-1).*exp(-x/Lp);

Fig = mesh(v,x,dp);

（2）①WB >> Lp时

（例）

②WB << Lp时

x=linspace(0,1e-4,100);

v=linspace(0,0.6,100);

ni = 1e10;

ND = 1e16;

pn0 = 1e4;

Lp = 1e-3;

Wb = 1e-4;

q = 1.6e-19;

k = 1.38e-23;

T = 300;

[x,v] = meshgrid(x,v);

dp = pn0.*(exp(q*v/(k*T))-1).*(1-x/Wb);

Fig = mesh(v,x,dp);

（横坐标反了）

（3）思考题

（例）无论是WB << Lp还是WB >> Lp时, Δpnx都随𝑉呈指数变化关系。但WB << Lp时，Δpnx随x呈线性变化关系；WB >> Lp时Δpnx随x呈指数变化关系。

3.2 理想PN结的I-V曲线

1 理想PN结的I-V特性方程

I=ISexpqVkT-1

2 仿真参数

3 实验要求

（1）以𝑉为自变量， 𝐼为因变量，仿真得到PN结的I-V曲线。观察正偏和反偏时，𝐼随𝑉的变化规律。

（2）思考题：如果规定正向电流达到2mA时的电压为正向导通电压，记作 VF。那么在该参数下PN结的VF是多少？请在曲线中标出该点。

4代码、仿真图像和思考题

（1）代码

q = 1.6e-19; % C

IS = 1e-13; % A 反向饱和电流

k = 1.38e-23; % J/K 玻尔兹曼常数

T = 300; % K

V = -0.6:0.005:0.65;

I = IS*(exp((q*V)/(k*T))-1);

figure

plot(V,I,'r');

grid on

title('I-V特性曲线');

xlabel('V/V');

ylabel('I/A');

（2）仿真图像

（3）思考题

电压如图

3.3 BJT的转移特性和输出特性

1 BJT的转移特性和输出特性方程

IC=αIESexpqVBEkT-1-ICSexpqVBCkT-1

式中，VBC=VBE- VCE

2 仿真参数

3实验要求

（1）以VBE 和VCE 为自变量，IC为因变量，仿真得到方程的三维曲线。（2）思考题：观察IC随VBE和VCE的变化规律，并根据所学知识进行解释。

4 代码、仿真图像

（1）代码

q = 1.6e-19; % C

k = 1.38e-23; % J/K 玻尔兹曼常数

T = 300; % K

a = 0.99; % α共基交流电流放大系数

IES = 1.02e-12; % A 发射结反向饱和电流

ICS = 1e-12; % A 集电结反向饱和电流

V1 = 0.6;

VoltageBE = 0:V1/50:V1;

V2 = 1.2;

VoltageCE = 0:V2/50:V2;

[VBE,VCE] = meshgrid(VoltageBE ,VoltageCE );

VBC = VBE-VCE;

IC = a*IES*(exp((q*VBE)/(k*T))-1)-ICS*(exp((q*VBC)/(k*T))-1);

figure

mesh(VCE,VBE,IC);

shading interp;

colormap jet;

title('IC-VCE-VBE');

xlabel('VCE/V');

ylabel('VBE/V');

zlabel('IC/A');

（2）仿真图像

（不同角度的三张图，同3.1的例子）

（3）思考题

3.4 BJT基区输运系数与频率的关系

1（1）由电荷控制法

βω*=β0*1+jωτb

（2）经修正得到的准确方程

βω*=β0*1+jωτb1+me-jωm1+mτb

2 仿真参数

3 实验要求

（1）以𝜔为自变量， βω*为因变量，分别对1中的（1）（2）两个方程仿真，得到复数坐标下的函数图像。（2）思考题：研究βω* 随𝜔的变化趋势，比较两个函数图像的异同。

4 代码、仿真图像和思考题

（1）代码

第一个

y0 = 0.995; % 直流输运系数

tb = 1e-6; % s 少子在基区的平均渡越时间

x = 0:100:1e9; % ω

y = y0./(1+1j*x*tb); % β*

figure

plot(real(y),imag(y));

grid on

axis equal

xlabel('a');

ylabel('jb');

第二个

y0 = 0.995; % 直流输运系数

tb = 1e-6; % s 少子在基区的停留时间

m = 0.22;

x = 0:1e9/100000:1e9; % ω

y = y0./(1+1j*x*tb/(1+m)).*exp(-1j*x*m/(1+m)); % β

figure

plot(real(y),imag(y));

grid on

axis equal

xlabel('a');

ylabel('jb');

（2）仿真图像

（两张图）

（3）思考题

随着频率升高，基区输运系数的幅度变化是沿着半圆上的P点，由于相位角随着频率变化，得到Pˊ点。其中，m为超相移因子。所以两张图会产生不同的效果。

3.5 增强型NMOS管的转移特性和输出特性

1 增强型NMOS管的直流特性方程

2 仿真参数

3实验要求

4 代码、仿真图像和思考题

（1）代码

Vtn = 0.75; % V阈值电压 
un  = 650; % cm^2/V 电子迁移率 
Cox = 76.7*10^(-9); % F/cm^2
W   = 30; %um
L   = 3; %um
Kn  = W*un*Cox/(2*L) %A/V^2
%VGS=0.75:1:3;
VGS0=0.75; VGS1=1; VGS2=1.5; VGS3=2; VGS4=2.5; VGS5=3;
VDS=0:0.01:8;
iD0=0*(VGS0<Vtn)+Kn*(2*(VGS0-Vtn).*VDS-VDS.^2).*(VGS0>=Vtn & VDS<VGS0-Vtn)+Kn*(VGS0-Vtn).^2.*( VGS0>=Vtn & VDS>=VGS0-Vtn);
iD1=0*(VGS1<Vtn)+Kn*(2*(VGS1-Vtn).*VDS-VDS.^2).*(VGS1>=Vtn & VDS<VGS1-Vtn)+Kn*(VGS1-Vtn).^2.*( VGS1>=Vtn & VDS>=VGS1-Vtn);
iD2=0*(VGS2<Vtn)+Kn*(2*(VGS2-Vtn).*VDS-VDS.^2).*(VGS2>=Vtn & VDS<VGS2-Vtn)+Kn*(VGS2-Vtn).^2.*( VGS2>=Vtn & VDS>=VGS2-Vtn);
iD3=0*(VGS3<Vtn)+Kn*(2*(VGS3-Vtn).*VDS-VDS.^2).*(VGS3>=Vtn & VDS<VGS3-Vtn)+Kn*(VGS3-Vtn).^2.*( VGS3>=Vtn & VDS>=VGS3-Vtn);
iD4=0*(VGS4<Vtn)+Kn*(2*(VGS4-Vtn).*VDS-VDS.^2).*(VGS4>=Vtn & VDS<VGS4-Vtn)+Kn*(VGS4-Vtn).^2.*( VGS4>=Vtn & VDS>=VGS4-Vtn);
iD5=0*(VGS5<Vtn)+Kn*(2*(VGS5-Vtn).*VDS-VDS.^2).*(VGS5>=Vtn & VDS<VGS5-Vtn)+Kn*(VGS5-Vtn).^2.*( VGS5>=Vtn & VDS>=VGS5-Vtn);
VDS1=0:0.01:2.3;
iD=Kn*VDS1.^2;
figure(1) %建立图形
plot(VDS,iD0,'r',VDS,iD1,'y',VDS,iD2,'m',VDS,iD3,'c',VDS,iD4,'g',VDS,iD5,'b',VDS1,iD,'k--');
legend('VGS0=0.75V','VGS1=1V','VGS2=1.5V','VGS3=2V','VGS4=2.5V','VGS5=3V','VDS=VGS-Vtn,预夹断临界点轨迹')
title('输出特性曲线');
xlabel('VDS/V');
ylabel('iD/A');
%VDS=0:1:4;
VGS=0:0.01:3;
VDS0=0; VDS1=0.5; VDS2=1; VDS3=1.5; VDS4=2; VDS5=2.5;

iD0=0*(VGS<Vtn)+Kn*(2*(VGS-Vtn).*VDS0-VDS0.^2).*(VGS>=Vtn & VDS0<VGS-Vtn)+Kn*(VGS-Vtn).^2.*( VGS>=Vtn & VDS0>=VGS-Vtn);
iD1=0*(VGS<Vtn)+Kn*(2*(VGS-Vtn).*VDS1-VDS1.^2).*(VGS>=Vtn & VDS1<VGS-Vtn)+Kn*(VGS-Vtn).^2.*( VGS>=Vtn & VDS1>=VGS-Vtn);
iD2=0*(VGS<Vtn)+Kn*(2*(VGS-Vtn).*VDS2-VDS2.^2).*(VGS>=Vtn & VDS2<VGS-Vtn)+Kn*(VGS-Vtn).^2.*( VGS>=Vtn & VDS2>=VGS-Vtn);
iD3=0*(VGS<Vtn)+Kn*(2*(VGS-Vtn).*VDS3-VDS3.^2).*(VGS>=Vtn & VDS3<VGS-Vtn)+Kn*(VGS-Vtn).^2.*( VGS>=Vtn & VDS3>=VGS-Vtn);
iD4=0*(VGS<Vtn)+Kn*(2*(VGS-Vtn).*VDS4-VDS4.^2).*(VGS>=Vtn & VDS4<VGS-Vtn)+Kn*(VGS-Vtn).^2.*( VGS>=Vtn & VDS4>=VGS-Vtn);
iD5=0*(VGS<Vtn)+Kn*(2*(VGS-Vtn).*VDS5-VDS5.^2).*(VGS>=Vtn & VDS5<VGS-Vtn)+Kn*(VGS-Vtn).^2.*( VGS>=Vtn & VDS5>=VGS-Vtn);
figure(2) %建立图形
plot(VGS,iD0,'r',VGS,iD1,'g',VGS,iD2,'m',VGS,iD3,'c',VGS,iD4,'k',VGS,iD5,'b');
legend('VDS0=0V','VDS1=0.5V','VDS2=1V','VDS3=1.5V','VDS4=2V','VDS5=2.5V')
title('转移特性曲线');
xlabel('VGS/V');
ylabel('iD/A');
x=0:0.1:3;
y=x.*(8/3);
[VGS,VDS]=meshgrid(x,y);
iD=0*(VGS<Vtn)+Kn*(2.*(VGS-Vtn).*VDS-VDS.^2).*(VGS>=Vtn & VDS<VGS-Vtn)+Kn.*(VGS-Vtn).^2.*( VGS>=Vtn & VDS>=VGS-Vtn);
figure(3) %建立图形
mesh(VGS,VDS,iD)
%surf(VGS,VDS,iD)
shading interp;
colormap jet;
title('iD-VGS-VDS');    %标题
x1=xlabel('VGS/V');     %x轴标题 
x2=ylabel('VDS/V');     %y轴标题
x3=zlabel('iD/A');      %z轴标题

（2）仿真图像

①输出特性曲线