flash操作基本逻辑

flash 读写擦

flash 读：顺序读很快。跳序读会损耗点时间，也很快，但不会影响功耗。无次数限制

flash 写：
原理：将1bit 变为0bit。
特点：
每次最小写入一个page (256字节)。
有限次数（10万-100万次，跟FLASH手册有关），
消耗时间大于flash读，有功耗。
有限次数指：写入某一区域的次数。比如：10万次写入0x40000-0x40100地址后，写入失效，从此0x40000-0x40100区域不可擦写，其余区域正常
建议：如果写入十分频繁（例如1s一次），并且数据非常小（几十个字节以内），可以先存到SRAM，等SRAM存到接近256字节，再写入flash。4K数据作为一个Sector,满了可以继续写下一个Sector,数据按顺序写入形成一个闭环，通过前两位表示当前Sector_id
目的：减少写入的次数，减少写入同一区域的次数。

flash 擦：
原理：将0bit变为1bit
特点：
每次擦除区域最小为4k
有限次数（10万-100万次，跟FLASH手册有关），
消耗时间大于flash 写，有功耗（10ms）。
flash 擦除瞬间会影响到程序
flash擦除4k ，和擦除128k 时间代价差不多
建议：
flash 存满再进行擦除。存满是尽可能写满flash,因为擦除代价几乎一样。
等程序空闲的时候在进行擦除动作。尽量规避对程序的影响。

flash读的代价 《 flash写《 flash擦
flash 管理系统：
原则：
频繁的使用读操作，去减少flash擦写的频率，page满了才进行写，sector满了才进行擦。空闲的时间才进行擦。
操作日志思路：
uint16 sector_id
uint16 data_len
uint16 data

把所有擦写的操作都像日记一样记录到flash中，擦操作就是把data_len 改为0，因为写数据可以把1bit 变为0。就是伪擦除。真是等到日记将填满整个flash,并且程序空闲的时候，才真正进行一次擦操作。