等离子体技术【三】--放电与频率的关系

一、为什么射频电源频率是10MHz以上？

摘自《真空镀膜技术》--张以忱，3.7.1

     答：采用射频技术在基片上沉积绝缘薄膜的原理为：将负电位加在置于绝缘靶材背面的导体上，在辉光放电的等离子体中，正离子向导体板加速飞行，轰击其前置的绝缘靶材使其溅射。

       但是这种溅射只能维持10-7s的时间，此后在绝缘靶材上积累的正电荷形成的正电位抵消了靶材背后导体板上的负电位，故而停止了高能正离子对绝缘靶材的轰击。此时如果倒转电源的极性，即导体板上加正电位.电子就会向导困板加速飞行，进而轰击绝缘靶材，并在10-9s的时间内中和绝缘靶材上的正电荷，使其电位为零。

       这时，再倒转电源极性，能产生10-7s时间的对绝缘靶材的溅射。如果持续进行下去，每倒转两次电源极性，就能产生10-7s的溅射。因此必须使电源极性倒转率freq>10^7次/s，在靶极和基体之间射频等离子体中的正离子和电子交替轰击绝缘靶而产生溅射，才能满足正常薄膜沉积的需要。

 二、为什么有越来越高的射频电源频率？

参考文献：

Influence of the electric field frequency on the performance of a RF excited Laser

Radio-Frequency Capacitive Discharges

 

 

注：频率越高，等离子体内电子容易在射频电场中吸收能量并在电场中振荡：

（1）电子与气体粒子碰撞的几率大大增加，使得射频溅射的击穿电压和放电电压显著降低，只有DC电源的1/10左右；

（2）电子与气体粒子碰撞的几率大大增加，使得气体离化率变大，因此射频溅射可以在0.1Pa甚至更低的气压下进行。