在上一篇文章中我们讲了陶瓷电容,钽电容,铝电解电容的各项参数以及三者之间的对比差异(详情大家可以参考电容选型实例,电容手册参数解读,电容分类-CSDN博客),铝电解电容的一些性能特点没有说完,在这篇文章进行一些补充,同时有一些电容应用案例和大家分享。
1.铝电解电容的性能特点
(1)电解电容在极高温下或者极低温下性能极其不稳定,下面说明在极低温下性能不稳定的原因:
在极低温的时候,右下方图中电解电容的ESR随温度变化的可以看出,铝电解电容的ESR非常的大,不能提供对地的低阻抗泄放通路,在电路中的滤波效果将会变得非常的差,性能不稳定。
图中右上方电容的容值随温度的变化曲线可以看出,在-40℃~+120℃的变化范围内,电容的容值在上下10%左右的浮动,是在能接受的范围之内的。
漏电流与电容内部的绝缘电阻有关系,如说内部绝缘电阻不变,漏电流随电压的升高而增大,当然也和电容的材质,制造工艺也有很大的关系。
(2)极高温下铝电解电容性能不稳定的原因,极高温的情况下,电容的使用寿命会急剧的下降,原因如下:
在极高温的情况下,铝电解电容内部电解液会快速蒸发消散,电容的寿命会大大缩短。铝电解电容一般应用在低频的电源滤波场合,会靠近电源的功率器件,当外界温度比较高的时候,内部的温度由于发热的功率器件,局部的温度将会更高,使用寿命会大大缩减直至失效。
所以铝电解电容在极低温或者极高温的情况下,性能是不稳定的。
2.电容频率特性曲线
针对单个电容的频率特性曲线,电容的阻抗随频率的变化先变小后变大,最低点是谐振点,如果想要滤得的波的频率在谐振点附近,这时对地的阻抗最小,滤波效果最好。
然而我们想要滤除的噪声不是单一的噪声,会包含多个频点,如果使用两个相同的电容进行并联,只会增强在该点的滤波效果,不能起到展频的作用。
采用多个容值不同,封装不同的电容并联,其频率特性曲线如上图右方所示,这样可以对不同频率的波形进行滤波,展宽了滤波的频带,滤波效果最好,在实际的应用中就是采用这种方法进行滤波。
上图中下方的公式可以计算出谐振点的频率,从公式我们可以知道“小电容滤高频,大电容滤低频的”,当电容值小的时候,谐振点右移,即是整个频率特性曲线大致右移,因为较好的滤波效果在谐振点附近,所以小电容可以滤除高频的信号,大电容滤低频的原理与之类似。
2.电容应用案例
(1)PC IE卡电源供电端钽电容的选取
PCIE卡,通过电脑的“金手指”12V电源进行供电。电源进来之后使用钽电容进行滤波。钽电容选择了16V,47uF,小批制作没有问题,大批量制作后,偶尔有上电后电容爆掉的现象。
在说钽电容的的特点时我们知道,钽电容的耐压能力非常的差,不能用于热插拔的接口上,而且需要降额50%进行使用。在本例中,12V的供电电源选用耐压16V的钽电容,才降额至80%进行使用,留有的降压裕量不够。钽电容的耐压降额是需要我们特别注意的地方。
(2)YT8521芯片滤波电容的摆放位置
YT8521单网口的应用在以太网物理层的芯片,实现以太网的收发功能。
外部3.3V给芯片供电,内部集成DC-DC,由32引脚经过功率电感和后部的滤波电容供出1.2V的电源给其他的引脚进行使用。
出现的问题:在PCB设计的时候,滤波电容C9距离电感比较远,32引脚出来的方波经过功率电感后达到了1.9V,因为内部存在反馈,滤波电容太远,反馈采样点没有采到电压或者采样不对,检测到电压没有1.2V,内部调节输出占空比来抬升电压,所以抬升到了1.9V,导致了芯片的使用出现问题。
电感和电容都要靠近引脚,电容退耦或者是滤波,都有一个半径距离,在有效的距离内才能起到相应的效果,由于滤波电容距离功率电感的距离比较远,没有起到滤波效果。所以在应用的时候需要注意:滤波电容要紧挨着功率电感,电感和电容都要靠近芯片的引脚。
(3)RTC供电电路滤波电容的选取
上图是电脑主板RTC的供电电源电路图,RTC电源给电脑桥片供电,桥片中的静态存储器存有配置信息,静态存储器掉电数据会丢失。通常所需要的供电电流是几个uA左右。
电池的作用:在进行电路设计时,电池容量维持至少三年的时间,当没有220V供电的时候,就由电池进行供电,确保静态存储器中的数据不会丢失。当220V供电的时候,经过电源转换由SB电源给供电,3.3V的SB电源经过D3二极管后的电压约为3.2V左右,这时下边的二极管的阴极电位约为3V,由于二极管有反向的漏电流,还有对电池微充电的作用。
如果没有电池,电脑也可以开机,但是开机十分的艰难,缓慢,有可能开机不成功
如图滤波电容C308如果选取不恰当,比如说电解电容的漏电流,也有10个uA左右,如果是这样一两个周的时间电池的电量就会耗尽,产品的性能不能达到,所以在进行电路设计的时候,需要使用nA级别漏电流的电容。
上述几个电容选型案列,希望对大家有所帮助!