磁性的产生
所有物质的磁性都是电流产生的,永久磁铁的磁性就是分子电流产生的,分子电流是磁性材料原子内的电子围绕原子核旋转形成。
磁畴
电子运动产生电流形成一个个小的磁铁,这些小的磁体在晶格中排列在一个方向,形成一个个小的磁区域,即是磁畴。磁性材料里面的磁畴整齐排列有方向,宏观上呈现磁铁有磁性,如果磁畴是杂乱无序的对外无磁性。
线圈加磁芯作用
为电感线圈增加磁芯,电感值为什么会增大很多,线圈没有磁芯的时候,给线圈通电,根据电磁原理,这时会有磁场穿过线圈,若此时产生磁场强度H,如果这时候线圈中有磁芯,磁芯中的部分磁畴会在磁场强度H作用下有序排列,这些磁畴会产生与原磁场方向相同的磁场,并且比H大得多,所以总的磁场会增大很多,二者增加后的磁场强度称为B.
这种增大磁场的能力,有一个参数,叫磁导率u,B=uH
磁导率u的定义
相同条件下,铁磁介质中所产生的磁感应强度比空气介质中大得多。为了表征这种特性,将不同的磁介质用一个系数u来考虑,表征物质的导磁能力。在介质中,u越大,介质中的磁感应强度B就越大。
电感为什么会存在饱和电流
磁芯里面的磁畴有序排列,使的电流产生的磁场大大加强。电流越大,有序排列的磁畴也越多,产生的磁场也越大,穿过线圈的磁通量也越大,基本是和电流成正比的。电感定义就是线圈的自感系数,等于磁通量与电流的比值,所以正常情况下,电感L是常量。
当电流达到一定程度,这个时候磁芯里面所有的磁畴已经都有序排列了,即使再增大电流,已经没有多余的磁畴能有序排列来增加磁场了,所以磁场强度基本不增加。
这个时候就说电感已经饱和了,电流增大,而磁通量不再增加,电感值等于磁通量除以电流,所以电感值下降。通常实际用的电感,饱和电流一般定义为电感值相对初始值下降了30%对应的电流值。
气隙
磁芯的气隙,是指一部分磁路是由空气构成,故称为空气间隙,。如EI 型磁芯,E 和I 的结
合总存在缝隙,磁路就有气隙。圆形磁环中间开缺口,缺口处就是气隙。
气隙作用
若有一个圆形磁环,绕上线圈,通上正好使磁芯饱和的电流。正好饱和,说明里面的都已经有序排列了。
若在磁环上开一个气隙,即去除掉一部分磁芯,则这部分磁畴也被去掉了。原来在气隙处的磁畴是有序排列的,相当于是一个小磁铁,对气隙旁边的磁畴的有序排列有正向的作用力,现在被去掉,所以作用力消失。
气隙旁边的磁畴原来恰好可以全部有序排列,现在受到正向作用力变小了,所有就不能全部有序排列了,磁性变小,进一步导致气隙旁边的磁畴受到的作用力也变小,没有全部有序排列,磁畴之间相互作用,整个磁芯的磁畴没有有序排列的更多。因此开了气隙的磁环是没有磁饱和的。
若要使磁畴再次全部有序排列,必须通上更大的电流,直到再次饱和。
因此,增加气隙,饱和电流增大了。从整体上看,磁畴总的有序排列变少,那么产生的磁通也变小了,即磁导率变小了。气隙增加,弱化了磁畴间的正向相互作用力,故在没有电流时候,即外部H为零,剩磁变小了。
思考:
若没有气隙,完全饱和时磁场强度Bm,加了气隙之后,增大电流,磁芯的磁畴全部有序排列,即磁芯饱和,此时的磁场强度应该是多少呐
磁芯内的磁畴在饱和电流时全部排列,即最难偏转的那个磁畴此时正好偏转,无论加不加气隙,即要使最难的磁畴发生偏转,它所在地方的磁场强度就是Bm。所以加了气隙之后,饱和时磁场强度还是Bm。
磁场能量密度公式
磁场能量密度单位为单位体积所包含的磁场能,其公式为B 的平方除以2μ,磁芯的储能不变,气隙处的磁导率变成了空气,空气的相对磁导率为1,因此,气隙处的储能密度提升了成百上千倍。
气隙是越大越好?
气隙最大时候就是没有磁环,即空心电感,理论上空心电感永不饱和,储能没有上限,只要电流够大,实际中电流是有上限的,太大导线也无法承受。
气隙增大了储能上限,说的是在各自都饱和情况下的储能。而在都不饱和的情况下,通上相同的电流,不加气隙的储能更多。能量密度公式等于二分之一的μ乘以H 的平方,电流相同时,H相同,不加气隙磁导率更高。气隙太大,磁导率太低,电感感量难以做上去,应该选择合适气息大小。
如何选择气隙大小
工程设计中,输入输出电流的最大值,以及电感值是确定的,需要保证电感通过最大电流时,磁芯不发生饱和,气隙不能太小,否则容易饱和。气隙过大,要想获得较大感量,磁芯体积需要增大,要综合考虑选取合适的气隙大小。
总结:气隙可以减小磁导率,可以增大饱和电流,可以增大储能上限,可以减小剩磁,气隙的大小要综合进行考虑。