weixin_47973334的博客

1、Burst Length：突发长度，如果突发长度是4，那突发写时，只需给出4个写数据和需要写入地址的首地址，那么剩下的数据会排队写进去，一次共写入4个数据；本次设计中我们采用的突发长度为4，即 { A2，A1，A0 } = { 0，1，0 }3、CAS Latency：列选通潜伏期，即给出读命令和SDRAM 的读取 DQ 之间的延迟关系，只有 2 和 3 可以选择，我们选 3 吧，即 { A6，A5，A4 ) = {0,1,1}。4、OP code：写模式，读和写都选择成突发，即 A9 = 0。

本次设计采用的 SDRAM 芯片为 Winbond W9812G6KH - 6，查询数据手册发现其容量为：2M × 4 banks × 16 bits = 128 Mbit，其中 2M 为“行数×列数”，4为 L-Bank 数量，16 为单个存储单元的容量，即数据位宽。SDRAM 的内部是一个存储阵列，就像一张表格，我们在向这个表格中写入数据的时候，需要先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的“单元格”，这就是 SDRAM 寻址的基本原理。多用于掉电后仍需存储的数据。