STM32F446学习笔记-GPIO结构与配置

最新推荐文章于 2024-08-02 00:15:00 发布

乐乐虾

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分类专栏： STM32 文章标签： stm32 嵌入式 gpio

本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_48181725/article/details/108743777

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本文是STM32F446的学习笔记，详细介绍了GPIO的结构，包括输入寄存、输出寄存、输出驱动和上下拉及保护。并提供配置GPIO的步骤，如输入、输出、复用功能和模拟配置。通过实验验证了上下拉配置对电平的影响，并实现了一个花样流水灯程序，加深了对GPIO结构的理解。

摘要由CSDN通过智能技术生成

本文是笔者自学STM32F446-Reference的学习笔记，参考手册下载：STM32官方资料库。

实验部分使用Nucleo-144开发板。

一.GPIO结构

GPIO的结构其实并不复杂，这里将其分为四个部分进行分析：输入寄存，输出寄存，输出驱动，上下拉及保护，分别对应下图中“上、左下、中下和右”四块。

GPIO基础结构

1.1输入寄存

输入部分对应的主要是输入数据寄存器，在基本输入状态下该寄存器的值由外部设备改变，所以属于只读寄存器。

除此，该输入部分还有复用功能输入与模拟输入两种输入结构，此时不需读取输入数据寄存器。前一种输入结构的信号与基本输入同属数字信号，所以要经过施密特触发器，后者则不需要。

1.2输出寄存

输出部分主要有输出数据寄存器和置位/复位寄存器，前者可读可写，后者只可以写，读取则得不到正确值。

同样，输出部分也有复用功能输出和模拟输出两种。模拟信号输出不需要经过输出驱动模块，另两种输出模式都需要。

1.3输出驱动

这部分主要有两种控制型寄存器：输出速率寄存器，输出方式寄存器。前者很好理解，即对应I/O支持的高低电平最高切换频率；后者则分为推挽模式和开漏模式两种，是理解I/O口输出结构的关键点。

图中所示的两个场效应管同时工作属于推挽结构。在该结构中输入高电平时，上方的PMOS导通，下方的NMOS关闭，输出高电平；而输入低电平时，NMOS导通，PMOS关闭，输出低电平。当引脚高低电平切换时，两个管子轮流导通，P管负责灌电流，N管负责拉电流，使其负载能力和开关速度都比普通的方式高很多。

上方的PMOS不工作属于开漏结构。仅考虑该结构，则当输入为低电平时，PMOS完全关闭，NMOS导通，输出接地为低电平；而输入为高电平时，PMOS和NMOS都关闭，引脚既不输出高电平也不输出低电平，为高阻态。所以为了正常使用必须外接上拉电阻替代PMOS，以输出高电平。

推挽模式是最常用的结构，因为它可以在高低电平间快速切换；开漏结构则用于一些特定场合，如需要“线与”和“输出指定高电平”的电路，这些功能是推挽结构没有的，而开漏结构之所以有此功能的原理在分析电路后自然可以得到，此处不赘述。开漏结构的缺点在于上升沿有较大延迟，这是因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电的。