如何认知MOSFET、IGBT等模拟功率器件

MOSFET、IGBT现在可以说非常火热，不同厂家出了很多的产品，比如英飞凌的IPC事业部就推出了很多Power功率器件MOSFET(Si/SiC)，比如N沟道MOSFET、P沟道MOSFET、NN|PP|NP双沟道MOSFET、小信号小功率MOSFET、CoolSiC MOSFET等很多类型的产品，电压范围涵盖范围也是极广，比如650V、1200V、2000V等均有涉猎。车用MOSFET通过AEC-Q101标准，如-20 V to -250 V小信号PMOS和20 V~600 V小信号NMOS，COOLMOS等产品。英飞凌产品在RDS(on) 等性能参数方面较为领先。

如何认识这些功率器件，或者说如何才能入门这些模拟功率器件呢？在电源电路中，MOS开关及隔离是很重要的一个部分，而有了功率器件，很多设计就方便多了，比如一些电机应用、一些buck-boost升降压电路等。

如果入门，可以学习一下大学一门课程《模拟电路》，这里面主要介绍的二极管、三极管、MOSFET部分的知识，其中关于PN结的构成，空穴电子等如何形成流动，可以说这是功率器件最基础的一个原理，除了最早的硅Si和锗Ge等半导体材质，SiC也开始流行，但仍没冲破基础原理部分。