陈老师给你介绍半导体功率器件知识大汇总

常用的半导体功率器件知识大汇总

　　电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上)电子器件。能够分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件，其中晶闸管为半控型器件，承受电压和电流容量在所有器件中最高；电力二极管为不可控器件，构造和原理简略，工作可靠；还能够分为电压驱动型器件和电流驱动型器件，其中GTO、GTR为电流驱动型器件，IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。

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1. MCT (MOS Control led Thyristor)：MOS控制晶闸管

　　MCT 是一种新型MOS 与双极复合型器件。如上图所示。MCT是将 MOSFET 的高阻抗、低驱动图 MCT 的功率、快开关速度的特性与晶闸管的高压、大电流特性联合在一起，构成大功率、高压、快捷全控型器件。实质上MCT 是一个MOS 门极控制的晶闸管。它可在门极上加一窄脉冲使其导通或关断，它由无数单胞并联而成。它与GTR，MOSFET， IGBT，GTO 等器件相比，有如下优点：

　　(1)电压高、电流容量大，阻断电压已达3 000V，峰值电流达1 000 A，最大可关断电流密度为6 000kA/ m2；

　　(2)通态压降小、损耗小，通态压降约为11V；

　　(3)极高的dv/dt和di/dt耐量，dv/dt已达 20 kV/s ，di/dt为2 kA/s；

　　(4)开关速度快， 开关损耗小，开通时长约200ns，1 000 V 器件可在2 s 内关断；

　　2. IGCT( Intergrated Gate Commutated Thyristors)

　　IGCT 是在晶闸管技术的根底上联合 IGBT 和GTO 等技术开发的新型器件，适用于高压大容量变频系统中，是一种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。

　　IGCT 是将GTO 芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，联合了晶体管的稳定关断才能和晶闸管低通态损耗的优点。在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT 芯片在不串不并的情况下，二电平逆变器功率0.5~ 3 MW，三电平逆变器 1~ 6 MW；若反向