嵌入式工程师必学（92）：双极结型晶体管 （BJT）

BJT结构

• BJT(Bipolar Junction Transistor) 由三个掺杂半导体区域（emitter发射极、base基极和collector集电极）构成，由两个pn结隔开。

• 一种类型由两个n个区域组成，由p区域（npn）分隔，另一种类型由两个p区域组成，由n区域 （pnp）分隔。

• 双极是指在晶体管结构中使用空穴和电子作为电流载体。基本 BJT 结构：

• 连接基极区域和发射极区域的 pn 结称为基极-发射极结。

• 连接基极区域和集电极区域的 pn 结称为基极-集电极结。

• 引线连接到三个区域中的每一个。

• 引线分别标记为E、B 和 C，分别代表发射极、基极和集电极。

• 基片区是轻掺杂的，与重掺杂的发射极和中等掺杂的集电极区域相比，它非常薄。