关于EVM相关知识的分享(一)

1、有些NR信源是添加了某个频点的相位补偿的，这意味着在频谱仪解调EVM时候，也要设置对应频点的相位补偿。这跟当前发射出来的信号频点没有关系，例如如果信源设置相位补偿的频点是2565Mh，此时信号发射频率是2595Mhz，你在频谱仪里也必须设置2565Mhz的相位补偿，不然EVM是解不出来的，星座图表现出来的就所有点都是旋转，乱的。如果信源发出的信号没有进行相位补偿，频谱仪里面的相位补偿项里面就需要填写0。并且EVM测试时，频谱仪的衰减尽量打小，以减少对测试的影响。

2、下面表格里面列举了对EVM性能有影响的参数以及每项参数对EVM影响的占比，可以看到CFR是影响最大的参数，其次是带内波动、相噪和PA的影响。

(1)对于CFR来说如果削峰越少，EVM性能越好。

(2)对于带内波动，需要做好发射链路级联射频器件之间的匹配，以便减少因为驻波失配带来的影响。

(3)对于相噪带来的影响，需要提供相噪比较好的时钟信号，并且给器件PLL和时钟供电的LDO也需要严格选择电压纹波指标比较好的。

(4)经过DPD优化后的PA，由于饱和功率等限制，依然会导致信号的峰值功率失真，从而恶化EVM指标。

下图是理想信号经过PA后产生失真的示意图：

其中EVM和ACLR有如下的经验公式：

从上图中可以看到，ACLR如果小于-55基本对EVM的影响就很小了。

3、EVM测试时必须要打开DC校准，不然星座图会有很多散点落在外面。

 4、在信号功率较低时，带内均匀噪声对EVM贡献较大，相噪和非线性产物的贡献埋在均匀噪声下；当信号功率增高时，带内均匀噪声贡献降低，同时非线性产物功率还不高，此时EVM最低，大部分由相噪贡献；当信号功率再次上升，此时非线性产物功率最高，EVM大部分由非线性产物贡献。如下图所示，呈现出浴缸曲线。

我们可通过下面方程式归纳总EVM：

其中EVMWN为源自白噪声的EVM影响，EVMPhN为相位噪声影响，EVMlinearity为源自非线性失真的EVM。对于给定的功率水平，所有这些误差项的功率和表示了系统中的总EVM水平。

5、不同架构transceiver，TX输出EVM恶化的原因(不包含transceiver自身NSD过高导致的EVM指标过差)：

(1)零中频架构

A、由于QEC镜像校准效果不好，导致镜像信号落入主信号带内，降低了有用信号的SNR，导致EVM指标恶化。

B、由于直流校准效果不好，导致信号带内的直流泄露过大，降低了有用信号的SNR，导致EVM指标恶化。

(2)射频采样架构

A、transceiver输出没有加带通滤波器，

导致其它奈奎斯特域的杂散和噪声混入了第一奈奎斯特域，导致的EVM指标恶化。

(3)造成以上两种transceiver架构EVM恶化的共同原因：

A、提供给transceiver的参考时钟相噪过差，导致的EVM指标恶化，射频采样架构影响尤为突出。

B、提供给transceiver内部PLL供电的电源纹波过大，导致的EVM指标恶化。

C、输出balun匹配不好，输出驻波>-10db，会影响DAC线性度，导致收发器输出的EVM变差，进而影响整体EVM。

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