元器件基础学习笔记——二极管基础

一、二极管基础

        二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件，具有单向导电性，是现代电子技术的基石。它在电子电路中扮演着至关重要的角色，通过与电阻、电容、电感等元器件的合理连接，能够实现整流、检波、限幅、稳压等多种功能。

1.1 二极管的组成

        二极管由PN结、两个电极（阳极和阴极）以及封装外壳组成。以下是几种常见结构及符号：

1.2 PN结

        PN结是二极管的核心结构，它是由P型半导体和N型半导体紧密接触形成的界面。

1.2.1 相关概念介绍

        N型半导体和P型半导体
        N型半导体：通过在纯净的半导体材料（如硅或锗）中掺入少量的五价元素（如磷或砷）形成。这些五价元素提供额外的自由电子，使得N型半导体的主要载流子为带负电的自由电子。
        P型半导体：通过在纯净的半导体材料中掺入少量的三价元素（如硼或铝）形成。这些三价元素在晶格中产生空穴，使得P型半导体的主要载流子为带正电的空穴。

        多数载流子和少数载流子
        载流子是带有电荷、并可运动而输运电流的粒子，包括电子、离子等。在电场作用下，这些带电粒子能够作定向运动，形成电流。在半导体中，存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。
        多数载流子：主要由掺杂原子提供，其浓度与掺杂浓度密切相关，受温度影响较小。
        少数载流子：主要由本征激发产生，其浓度随温度升高而指数式增加。

        扩散运动
        扩散运动是载流子从高浓度区域向低浓度区域移动的过程，直到达到浓度平衡。
        扩散运动的基础是分子热运动，即一切物质的分子都在不停地做无规则的运动，这种运动受温度影响较大。具体来说，当两种不同浓度的区域接触时，高浓度区域的分子由于热运动较强，会逐渐移向低浓度区域，直至达到动态平衡。扩散运动的速率与物质的浓度梯度成正比，也就是说，浓度差越大，扩散速度也越快。
        P型半导体中的扩散：在P型半导体中，空穴是多数载流子。当P型半导体与N型半导体接触时，空穴会从P型半导体向N型半导体扩散，因为N型半导体中的空穴浓度较低。
        N型半导体中的扩散：在N型半导体中，自由电子是多数载流子。同样地，自由电子会从N型半导体向P型半导体扩散，因为P型半导体中的自由电子浓度较低。

        漂移运动
        漂移运动是在电场（即电压梯度）作用下，电荷的运动。具体来说，在PN结的空间电荷区内，由于内建电场的作用，P区和N区的少数载流子将做定向运动。漂移运动产生漂移电流，并使空间电荷区变窄。

        漂移运动与扩散运动的区别
        两者的运动原因和作用力不同：漂移运动是由外电场驱动的定向运动，而扩散运动是由于浓度分布不均匀导致载流子从浓度高的地方向浓度低的地方移动。

        内建电场
        内建电场（Built-in field），也称自建电场，是指在半导体或绝缘体内部由于电荷分布不均匀而自发形成的电场。它不是由外部施加的电场。
        当P型半导体与N型半导体接触时，由于两者载流子浓度存在差异，导致空穴从P区向N区扩散，同时电子从N区向P区扩散。这些载流子的迁移留下了固定的带电离子，从而在交界处形成了空间电荷区，该区域内的电场就是内建电场。
        内建电场可以抑制多数载流子的扩散运动，同时促使少数载流子的漂移运动。这种作用使得PN结具有单向导电性，即在正向偏置下导通，在反向偏置下截止。

        外电场
        外电场是指由外部施加在半导体或其他材料上的电场，通常通过施加电压来实现。
        当对半导体器件施加电压时，会产生一个外加电场。这个电场会影响半导体中的载流子运动，从而改变其电学特性。
        外电场可以调控内建电场的强度，从而改变PN结的导电特性。例如，在PN结上加正向电压时，外电场会削弱内建电场，使得多数载流子能够通过PN结，形成较大的扩散电流。而在反向电压作用下，外电场增强内建电场，使得PN结截止。

        内建电场和外电场的区别
        内建电场是自发形成的，与材料内部的电荷分布有关；而外电场是由外部施加的，通过电压实现。内建电场主要影响少数载流子的运动，而外电场则主要影响多数载流子的运动。

1.2.2 PN结的形成

        当P型半导体和N型半导体接合在一起时，由于P型半导体中的空穴浓度较高，而N型半导体中的电子浓度较高，因此会形成扩散运动，并且P型半导体中的空穴将向其浓度较低的方向移动。 N型半导体的电子也会扩散到其浓度低的地方，从而扩散到P型区域。这样，不能自由移动的负离子留在P型区，不能自由移动的正离子留在N型区，一正一负，形成从左到右的内电场PN结内部。

        这个内部电场基本上反映了PN结的工作特性。还有一点需要注意的是，PN结只是部分带电，即P型区带负电，N型区带正电，但它们是中和的，整体呈中性。

        PN结的具体形成过程
        1）载流子浓度差产生的扩散运动：P型半导体和N型半导体结合后，在它们的结处出现电子和空穴的浓度差。 N型区电子多空穴少，P型区空穴多电子少。这样，许多电子和空穴必须从高浓度扩散到低浓度。因此，一些电子必须从N型区扩散到P型区，而一些空穴必须从P型区扩散到N型区。
        2）电子和空穴复合形成空间电荷区：电子和空穴具有相反的电荷，它们在扩散过程中会重新结合（中和），导致P区和N区原有的电中性被破坏。 P 区失去空穴会留下带负电的离子，N 区失去电子会留下带正电的离子。这些离子由于材料结构的关系而不能移动，因此被称为空间电荷，它们集中在P区和N区的界面附近，形成薄薄的空间电荷区，这就是所谓的PN交界处。
        3）空间电荷区产生的内部电场E阻止多个粒子的扩散运动：由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区中形成电场，其方向是从带正电的N区到带负电的P区，因为电场是在半导体内部形成的。影响载流子扩散，故称为内电场。由于内部电场的方向与电子的扩散方向相同而与空穴的扩散方向相反，因此阻止了载流子的扩散运动。
        综上所述，PN结内载流子运动有两种。一是多数载流子克服电场阻力的扩散运动；另一种是少数载流子在内电场作用下的漂移运动。因此，只有当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时，空间电荷区的宽度和内建电场才能相对稳定。由于两种运动产生的电流方向相反，因此在没有外加电场或其他因素的情况下，PN结中不存在宏观电流。

1.2.3 PN结的单向导电性

        PN结加正向电压时，可以有较大的正向扩散电流，即呈现低电阻， 我们称PN结导通； PN结加反向电压时，只有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， 我们称PN结截止。 这就是PN结的单向导电性。

        PN结外加正向电压

        当PN结外加正向电压时，PN结导通：

        1）正向电压：外加电压的方向是从P区指向N区，即P区连接电源正极，N区连接电源负极（串联电阻R用于限制回路中的电流，防止PN结因正向电流过大而损坏）。
        2）内电场削弱：外加电压产生的外电场方向与PN结的内电场方向相反，将多数载流子推向空间电荷区，使其变窄，即内电场被削弱。内电场被削弱后，对载流子的阻碍作用减小，载流子更容易通过，有利于电流的形成。
        3）扩散运动加剧：外加正向电压时，多子（P区的空穴和N区的电子）会分别向N区和P区扩散，形成较大的扩散电流。
        4）漂移运动减弱：外加正向电压时，少子（P区的电子和N区的空穴）的漂移运动减弱，在P区和N区的分布会达到新的平衡状态，它们的运动在正向电压下不会成为主导。

        PN结外加反向电压

        当PN结外加正向电压时，PN结截止：

        1）反向电压：外加电压的方向是从N区指向P区，即N区连接电源正极，P区连接电源负极。
        2）内电场增加：外加电压产生的外电场方向与PN结的内电场方向相同，增强了内电场的作用，使其变宽，即内电场被增强。内电场被增强后，对载流子的阻碍作用增大，阻止载流子的通过。
        3）扩散运动受阻：外加反向电压时，多子（P区的空穴和N区的电子）的扩散运动受到更大的阻碍，几乎无法形成有效的电流。
        4）漂移运动加剧：外加正向电压时，少子（P区的电子和N区的空穴）的漂移运动加剧，但由于少子数量有限，只能形成很小的反向电流，在近似分析中通常忽略不计。

1.2.4 PN结的伏安特性

        PN结的伏安特性是指其在外加电压作用下，电流随电压变化的特性，包括正向特性、反向特性和击穿特性。二极管的伏安特性曲线图如下：

        正向特性
        1）正向特性的表现：当外加正向电压时（u＞0V的部分），即P区接电源正极，N区接负极，PN结导通。电流随电压增加而迅速增大，呈指数关系。
        2）死区电压：在实际二极管中，当正向电压超过某一阈值后，二极管才有明显的正向电流，这个区域称为死区。
        3）正向压降：二极管正向压降是指导通状态下，二极管两端的压降，即正向导通最低电压。
        在室温下，硅二极管的正向约为0.7V，锗二极管的导通压降约为0.3V。

        反向特性
        当外加反向电压时，PN结截止，此时电流非常小，几乎为零。

        击穿特性
        当反向电压增加到某一数值VBR时，反向电流急剧增大，称为反向击穿。

        二极管的击穿特性主要有三种形式：雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿：
        1）雪崩击穿
        雪崩击穿模式是一种二极管在反向电压作用下的载流子倍增现象，导致反向电流急剧增加。当PN结的反向电压增加到一定数值时，空间电荷区内的电场增强，使得通过该区域的载流子获得的能量增大。这些高能载流子与中性原子发生碰撞电离，产生新的电子-空穴对。新产生的载流子重新获得能量并引发更多的碰撞电离，形成一种连锁反应，使载流子数量剧增，反向电流迅速增大，从而发生雪崩击穿。
        雪崩击穿主要发生在掺杂浓度较低、结较厚的PN结中。这种现象常见于稳定电压大于7V的二极管中。

        2）齐纳击穿
        齐纳击穿是一种在高掺杂浓度的PN结中发生的反向击穿现象，其原理基于强电场直接将共价键中的价电子拉出来，形成大量电子-空穴对，从而导致反向电流剧增。
        齐纳击穿发生在掺杂浓度很高的PN结上，由于掺杂浓度高，耗尽层（阻挡层）非常薄。当加上较小的反向电压时，阻挡层内的电场强度可以达到极高的数值。这种强电场能够直接从共价键中拉出价电子，生成大量的电子-空穴对，这个过程称为场致激发。这些自由电子和空穴分别被强电场驱赶到N区和P区，使得反向电流迅速增大，从而呈现反向击穿现象，即齐纳击穿。

        齐纳击穿和雪崩击穿的区别：
        1）掺杂浓度：
        雪崩击穿一般发生在掺杂浓度较低、外加电压较高的PN结中。掺杂浓度较低的PN结空间电荷区较宽，碰撞电离的机会较多。
        齐纳击穿主要发生在高掺杂浓度的PN结中。由于掺杂浓度高，耗尽层（阻挡层）非常窄，这使得即使施加较小的反向电压，也能产生很强的电场。
        2）击穿机制：
        雪崩击穿的机制是随着反向电压增加，空间电荷区内的电场增强，载流子获得高能量并与中性原子发生碰撞电离，产生新的电子-空穴对。这些新产生的载流子再次获得能量并引发更多碰撞电离，形成连锁反应，使载流子数量剧增，导致反向电流急剧增大。
        齐纳击穿的机制是当反向电压达到一定值时，强电场直接将束缚在共价键中的价电子拉出来，形成大量的电子-空穴对，导致反向电流剧增。这种击穿常发生在局部区域，如结构缺陷或杂质处。
        3）电压范围
        雪崩击穿多发生在高于5~6V的反向电压下。在这种电压范围内，电场强度足以引发显著的碰撞电离。
        齐纳击穿主要发生在低反向电压情况下，通常低于5~6V。这种击穿常见于需要小反向电压即产生高电场的场合。
        4）温度特性
        雪崩击穿的温度系数为正；齐纳击穿的温度系数为负。

        3）热击穿
        二极管热击穿是一种由于功耗过大导致的PN结温度升高和电流增大的恶性循环现象，最终使二极管发生永久性损坏。
        二极管热击穿的发生机制主要与功耗有关。当二极管的功耗（反向电流与反向电压之积）超过其允许的最大值时，会导致PN结的温度显著上升。随着温度升高，电流进一步增大，从而形成恶性循环。若散热条件不足以控制结温升高，则可能导致二极管材料熔化或结构损坏，最终发生热击穿。

1.2.5 PN结的电流方程

        二极管结电流方程：

1.2.6 PN结的电容效应

        PN结的电容效应是由电压变化引起的电荷变化所产生的，具体表现为势垒电容和扩散电容两种形式，它们分别与耗尽层的宽度变化和载流子的注入及复合过程密切相关。

        势垒电容
        二极管的势垒电容产生原理主要与PN结空间电荷区（耗尽层）的宽度变化有关。在外加电压作用下，耗尽层的宽度会发生变化，导致电荷在空间上的重新分布，从而形成电容效应。
        1）空间电荷区的形成：PN结由P型半导体和N型半导体组成，在它们的交界处形成了一个耗尽层，即空间电荷区。在这个区域内，由于掺杂类型的不同，形成了离子化的受主和施主原子，它们带有一定的电荷。
        2）耗尽层宽度的变化：当外加电压作用于PN结时，耗尽层的宽度发生变化。正向偏压会使耗尽层变窄，而反向偏压会使耗尽层变宽。这种宽度的变化会导致空间电荷区内电荷的重新分布。
        3）电荷积累与放电：随着耗尽层宽度的变化，空间电荷区内的电荷需要相应的时间来调整，这种调整过程表现为电容的充放电行为。当耗尽层宽度增加时，更多的电荷被积累在空间电荷区内，形成较大的势垒电容。
        4）电压依赖性：势垒电容的大小与外加电压密切相关。在反向偏压下，耗尽层宽度增加，势垒电容减小；在正向偏压下，耗尽层宽度减小，势垒电容增大。
        势垒电容具有非线性特性，即其值随电压的变化呈现出非线性的关系。这是由耗尽层宽度与外加电压之间的非线性关系所导致的。

        扩散电容
        二极管的扩散电容产生原理主要与少数载流子在PN结两侧的扩散和复合过程有关。在正向偏置条件下，PN结会允许电流通过，而这个电流主要由少数载流子的注入形成。
        1）载流子注入：在正向偏压下，P区的空穴和N区的电子会分别向对方区域注入。这些注入的少数载流子在各自区域内形成浓度梯度，从而引发载流子的扩散过程。
        2）扩散过程：注入的少数载流子会在各自的区域内扩散，形成一定的分布。这个扩散过程会导致电荷在空间上的积累，从而形成电容效应。
        3）电荷积累与放电：随着载流子的不断注入和扩散，电荷会在PN结两侧积累。当外加电压发生变化时，这些积累的电荷需要相应的时间来调整，这种调整过程表现为电容的充放电行为。
        4）复合过程：同时，注入的少数载流子也会与多数载流子发生复合，释放出能量。复合过程会影响载流子的浓度和分布，进而影响电容效应。
        5）电压依赖性：扩散电容的大小与外加电压密切相关。在正向偏压下，随着电压的增加，载流子注入增多，扩散电容增大；在反向偏压下，由于载流子注入减少，扩散电容减小。
        扩散电容具有非线性特性，即其值随电压的变化呈现出非线性的关系。这是由载流子注入和复合过程的复杂性所导致的。

1.2.7 PN结的温度特性

        PN结的温度特性主要表现在其电流-电压（I-V）关系随温度的变化上。随着温度的升高，PN结的正向电流增大，而反向饱和电流也增大。这主要是因为载流子的扩散系数和寿命随温度的升高而增加，导致载流子扩散长度增加，从而使电流增大。主要表现为：
        1）正向偏压下的电流增大：在正向偏压下，随着温度的升高，载流子的热运动增强，导致更多的载流子能够越过势垒，从而增大电流。
        2）反向饱和电流的增大：在反向偏压下，随着温度的升高，少数载流子的浓度增加，导致反向饱和电流增大。
        3）击穿电压的变化：温度的升高可能导致PN结的击穿电压降低，这是因为载流子在高温下的热运动更加剧烈，容易发生雪崩击穿。
        4）电容效应的变化：温度的变化也会影响PN结的电容效应。例如，势垒电容和扩散电容都会随温度的变化而变化，从而影响PN结的频率响应。
        5）导电机制的变化：在高温下，PN结的导电机制可能会发生变化，从主要依靠少数载流子的注入和复合转变为主要依靠本征载流子的激发和复合。
        6）可靠性的影响：温度的升高可能会影响PN结的可靠性。例如，高温下的热应力可能会导致半导体材料的晶格损伤，从而影响PN结的性能和寿命。
        7）噪声特性变化：温度的变化也可能影响PN结的噪声特性。例如，在高温下，PN结的噪声可能会增加。

二、二极管的主要参数

2.1 正向电压

        正向压降（Forward voltage）
        二极管的正向电压是指导通状态下，从阳极到阴极所需的电压，常温下通常是一个相对固定的值，如硅二极管约为0.7V，而锗二极管约为0.3V。

        二极管的正向电压主要受到材料类型、导通电流、环境温度的影响。

        二极管导通电流对正向压降的影响
        二极管导通电流对其正向压降有显著影响，主要表现为电流越大，二极管的正向压降越大。

        环境温度对二极管正向压降的影响
        环境温度对二极管的正向压降有显著影响，主要表现为正向压降随温度升高而减小。
 

2.2 正向电流

2.2.1 正向连续电流（Forward Continuous Current）

        正向连续电流在其额定条件下能够持续承受的最大正向电流。这个值通常基于二极管的热稳定性和长期可靠性考虑，确保在长时间工作过程中不会因过热而损坏.

2.2.2 平均整流输出电流（Average Rectified Output Current）

        平均整流输出电流是指在一个完整周期内，二极管整流后输出电流的平均值。这个值对于设计整流电路和选择合适二极管型号至关重要，因为它直接影响到电路的输出功率和效率。

2.2.3 非重复峰值正向浪涌电流（Non-Repetitive Peak Forward Surge Current）

        非重复峰值正向浪涌电流是指二极管在短时间内（通常为数毫秒）能够承受的最大正向电流。这个值远高于二极管的正向连续电流额定值，因为其设计目的是为了应对非常规或异常情况下的电流冲击。

        时间常数的选择
        短时标度（1us）：这个时间框架主要用于模拟非常短暂的电流浪涌，比如雷击或者电路快速开关产生的瞬间脉冲。这类事件虽然持续时间短，但电流幅度极大，可能对电子元件造成毁灭性的影响。
        长时标度（1s）：在这个时间范围内测试是为了模拟持续时间稍长的电流浪涌，如电路故障或恢复供电时可能遇到的情况。这有助于确保二极管能在较长时间的过载情况下依然保持性能和完整性。

2.3 反向电压

2.3.1 反向击穿电压（Reverse Breakdown Voltage）

        二极管的反向击穿电压是指二极管在反向偏置状态下，当外加电压达到一定程度时，发生的电击穿现象。在这个临界电压下，二极管的单向导电性被破坏，导致反向电流急剧增加。

        二极管的反向击穿电压一般是在在1μA的电流条件下测试得到的，这个电流水平足以准确测量击穿电压，同时又能避免因电流过大而损坏二极管。1μA测试条件已经成为二极管反向击穿电压测试的通用标准。这不仅便于不同厂家和使用者之间的数据比较，还能确保行业内部的一致性。

        环境温度对二极管的反向击穿电压的影响
        温度升高，半导体材料的导电性增加，导致击穿电压降低。即对二极管施加相同的反向电压时，随着温度升高，反向电流增大。

        此外，湿度和气压的变化也会影响二极管的击穿电压。湿度增加可能会降低击穿电压，而气压的变化可能会通过影响气体介质的绝缘性能间接影响击穿电压

2.3.2 非重复峰值反向电压（Non-Repetitive Peak Reverse Voltage）

        非重复峰值反向电压是指二极管在非重复脉冲形式下能承受的最大反向电压。这种电压通常远高于正常的反向工作电压，以确保二极管在异常情况下不会损坏。

2.3.3 最大重复峰值反向电压（Peak Repetitive Reverse Voltage）

        最大重复峰值反向电压是指二极管在规定的测试条件下，通常是在室温下，能够反复承受而不会发生损坏或性能下降的最高反向电压值。这一参数对于确保二极管在电路中的可靠性和稳定性至关重要。

2.3.4 工作峰值反向电压（Working Peak Reverse Voltage）

        工作峰值反向电压是二极管在其寿命期内可以持续承受的反向电压的上限，通常低于最大重复峰值反向电压和非重复峰值反向电压。这是因为工作峰值反向电压考虑了长期稳定运行的条件，而不仅仅是瞬时或非周期性的冲击。

2.3.5 直流阻断电压（DC Blocking Voltage）

        直流阻断电压是指二极管能够承受的最大连续直流反向电压，超过该电压可能会导致二极管击穿或损坏。

2.3.6 均方根反向电压 VRMS（Root-Mean-Square voltage）

        均方根反向电压是指在特定条件下，连续施加在二极管上的交流电压的有效值，这个值通常低于二极管的最大重复峰值反向电压，以确保在长时间工作过程中不会因高压而损坏。

2.4 反向电流

2.4.1 反向电流（Reverse Current）

        反向电流是指在给定的反向电压下，通过二极管的电流。这个电流通常非常小，但对于某些敏感应用来说，即使是微小的反向电流也可能需要特别关注。

2.4.2 峰值反向电流（Peak Reverse Current）

        峰值反向电流是二极管在施加最大反向电压时，所能承受的反向电流的最大值。这个参数对于保护电路在异常情况下不受损害至关重要。

2.5 结电容（Junction Capacitance）

        二极管的结电容是一个寄生参数，与二极管并联。结电容的大小取决于二极管结面积的大小，影响着二极管的表面复合和载流子寿命，决定了二极管的温度性能。结电容越大，二极管的工作温度变化就越大。结电容是扩散电容和势垒电容的综合反映，其中扩散电容和势垒电容都与二极管的工作状态有关。

2.5.1 扩散电容

        扩散电容是二极管在正向偏置时形成的一种电容效应。

        在正向偏置下，由于扩散作用，非平衡少子（即P区扩散到N区的空穴和N区扩散到P区的电子）会在PN结附近形成一定的浓度梯度。这种浓度梯度随外加正向电压的变化而变化，进而在PN结两侧形成一定的电荷积累。当外加正向电压增大时，扩散电流增大，需要更多的非平衡少子来维持电流平衡，因此PN结两侧的电荷积累量增加；反之亦然。

        由于这种电荷积累量与外加正向电压之间的关系类似于电容器的充放电过程，因此将这种效应称为扩散电容。扩散电容的大小与正向偏置电压有关，随正向偏压按指数规律增加。

        在PN结正向偏置时，扩散电容远大于势垒电容，起主导作用。

2.5.2 势垒电容

         在PN结接触界面处，由于浓度差异，P区的空穴会向N区扩散，而N区的电子会向P区扩散。这种扩散运动会在PN结附近形成一定的空间电荷区，即耗尽层。耗尽层内缺少导电的载流子，其电导率很低，因此可以等效为介质。

        当给PN结加上反向电压时，外加电场的方向与内建电场的方向相同，这会加强内建电场的作用，使得耗尽层变宽。耗尽层的宽度随反向电压的增大而增大，随反向电压的减小而减小。由于耗尽层内电荷量的变化与电容器的充放电过程相似，因此将这种现象等效为电容效应。‌

        势垒电容具有非线性特性，其电容值随外加电压的变化而变化。当外加反向电压增大时，耗尽层变宽，电容减小；反向电压减小时，耗尽层变窄，电容增大。势垒电容的大小与PN结面积、耗尽层宽度、半导体的介电常数及外加电压有关。

        在PN结反向偏置时，扩散电容远大于势垒电容，起主导作用。

        为了确保在特定的工作条件下能够准确地评估二极管的电容特性，从而为电路设计和实际应用提供可靠的参考，一般来说二极管的结电容参数在4V反向电压和1MHz频率下测试得到：

         在4V反向电压下测试是因为这个电压水平既能充分展现势垒电容的特性，又不会过分影响二极管的可靠性；在1MHz频率下测试是因为高频条件下，电容效应更为明显，能更准确地反映二极管在高频应用中的实际表现。

2.6 功率耗散（Power Dissipation）

        功率耗散是指二极管在最大正向电流和最大反向电压条件下，二极管能够安全地散发为热的能量，它决定了二极管在电路中能够安全工作的能力。

        热阻是衡量热量在传递过程中遇到阻力的指标，单位通常是℃/W。二极管的结点到周围环境的热阻越高，说明其散热性能越差，即热量更难从结点传到外部环境中。

        二极管耗散功率的影响因素：

        1）电流大小：二极管的耗散功率与工作电流成正比关系。当电流增大时，二极管消耗的电能增加，产生的热量也随之增加。
        假设两个相同的二极管，分别工作在10mA和100mA的电流下。根据耗散功率与电流的正比关系，工作在100mA的二极管将产生更多的热量，其耗散功率也会远高于工作在10mA的二极管。

        2）电压大小：二极管的耗散功率还与电压大小成正比关系。电压越高，二极管需要消耗的电能越多，产生的热量也越多。
        对于同一个二极管，在保持电流不变的情况下，提高其两端的电压将直接导致耗散功率的增加。例如，将二极管两端的电压从1V提高到2V，如果电流保持不变，那么耗散功率将翻倍。

        3）环境温度：二极管的工作温度与环境温度密切相关。环境温度越高，二极管需要承受的热量越多，散热难度增大，可能导致过热损坏。
        二极管的工作温度与环境温度密切相关。环境温度越高，二极管需要承受的热量越多，散热难度增大，可能导致过热损坏。

        4）封装和散热条件：二极管的封装形式和散热条件也会影响其耗散功率。封装较大的二极管通常具有更大的散热面积，能够更好地散发热量，因此其最大允许耗散功率也相对较高。
        二极管的封装形式和散热条件也会影响其耗散功率。封装较大的二极管通常具有更大的散热面积，能够更好地散发热量，因此其最大允许耗散功率也相对较高

2.7 结温

        二极管结温是指二极管中实际半导体芯片（晶圆、裸片）的最高温度，它通常高于外壳温度和器件表面温度，因为二极管在工作过程中会产生热量，这些热量会使芯片温度升高，形成结温。

        结温可以通过公式进行估算，公式为：

Tj = Ta + (RθJA × PD)

        Tj—结温，单位为℃
        Ta—环境温度，单位为℃
        RθJA—结到环境的热阻，单位为℃/W
        PD——封装的功耗，单位为W
        二极管结温100℃/W：表示每当二极管耗散1W功率时，结点温度将比环境温度高出100℃。

        有些厂家手册里会给出两个热阻参数：

        从结到环境的热阻（RθJA）
        表示二极管结点到周围环境的热阻，用于评估二极管将热量散发到周围环境的能力。
        热阻越小，说明二极管的散热性能越好，结温越低，对器件的可靠性越有利。

        从结到引线的热阻（RθJC）
        表示二极管结点到封装外壳的热阻，用于评估热量从芯片内部传导到外壳的效率。
        RθJC不直接影响结温到环境的最终散热效果，但会影响外壳温度，进而影响整体散热性能。