基于STM322B55的QSPI驱动W25N01Gflash的调试记录

最新推荐文章于 2023-12-16 23:01:30 发布
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文章标签： stm32 嵌入式硬件 单片机
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版权

硬件平台

  • STM32WB55RG
  • W25N01GV
  • QSPI驱动

问题

1、时序问题

QSPI驱动所提供的时序与Flash需求的时序未必能够匹配。如下图的STM32QSPI驱动时序和W25N01GV芯片要求时序

STM32QPSI驱动时序图

W25N01G的指令时序图
可以看到cmd：03h是符合QSPI驱动时序的。但是cmd：10h的时序是先空周期然后再发送地址的，这和QSPI的时序相悖

解决问题：配置QSPI的地址为24bit，地址高8位为空替代空周期。

2、调试的顺序

  • 完成QSPI的配置
  • 完成flash芯片ID的读取
  • 完成状态寄存器读写
  • 完成写使能和写失能
  • 完成页擦除，读取，写入功能
  • 以上最好先基于QSPI的单线模式。（就是SPI模式，通过以后再开发QSPI模式）

3、坏块管理

由于不可抗力因素影响，新的芯片可能存在坏块，所以第一次使用的时候先读取所有的块，判断块的第一个字节是否为"0xff"从而判断改块的好坏。
在这里插入图片描述

LihuaCcc
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uint8_t Program_verify(uint8_t* buff1, uint8_t* buff2, uint32_t count); void WB_Serial_NAND_Pageprogram_Pattern(uint8_t addh, uint8_t addl, uint8_t* program_buffer, uint32_t count); void WB_Serial_NAND_Program_Excute(uint8_t addh, uint8_t addl); /* status check */ uint8_t WB_Check_Embedded_ECC(); uint8_t WB_Check_Program_Erase_Fail_Flag(); uint8_t WB_Read_Serial_NAND_StatusRegister(uint8_t sr_sel); void WB_Serial_NAND_ReadyBusy_Check(); uint32_t WB_NAND_Read_JEDEC_ID(); uint8_t WB_Serial_NAND_bad_block_check(uint32_t page_address); void WB_Serial_NAND_LUT_Read(uint16_t* LBA, uint16_t* PBA); /* Stack function for W25M series */ void WB_Die_Select(uint8_t select_die); /* status set */ void WB_Enable_Embedded_ECC(); void WB_Disable_Embedded_ECC(); void WB_Enable_Buffer_mode(); void WB_Disable_Buffer_mode(); void WB_Serial_NAND_StatusRegister_Write_SR1(uint8_t SR1); void WB_Serial_NAND_StatusRegister_Write_SR2(uint8_t SR2); void WB_Serial_NAND_StatusRegister_Write_SR3(uint8_t SR3); void WB_NAND_Reset(); void WB_Protect(); void WB_Unprotect(); void WB_Serial_NAND_LUT_Set(uint16_t LBA, uint16_t PBA); /* erase function */ void WB_Serial_NAND_BlockErase(uint8_t PA_H, uint8_t PA_L); /* read function */ void WB_Serial_NAND_PageDataRead(uint8_t PA_H, uint8_t PA_L); void WB_Serial_NAND_Normal_Read(uint8_t addh, uint8_t addl, uint8_t* buff, uint32_t count); void WB_Serial_NAND_Continuous_Normal_Read(uint8_t* buff, uint32_t count);
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