存储器实验

HUNAN CITY UNIVERSITY

计算机组成原理
实验报告

实验题目: 存储器实验
专 业: 计算机科学与技术
学生姓名:
班级学号:
分组成员:
指导教师:
2021 年 3月 20日

存储器实验

一、实验时间

2021年3月20日14:00~17:40

二、实验地点

电信楼502

三、实验目的

掌握静态随机存取存储器RAM工作特性及数据的读写方法。

四、实验小组成员

五、实验步骤

① 连接实验线路,仔细查线无误后接通电源。
② 形成时钟脉冲信号T3。方法如下:在时序电路模块中有两个二进制开关“运行控制”和“运行方式”。将“运行控制”开关置为“运行”状态、“运行方式”开关置为“连续”状态时,按动“运行启动”开关,则T3有连续的方波信号输出,此时调节电位器W1,用示波器观察,使T3输出实验要求的脉冲信号;本实验中“运行方式”开关置为“单步”状态,每按动一次“启动运行”开关,则T3输出一个正单脉冲,其脉冲宽度与连续方式相同。
③ 向存储器的00地址单元中写入数据11,具体操作步骤如下:

在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

如果要对其它地址单元写入内容,方法同上,只是输入的地址和内容不同。
④ 读出刚才写入00地址单元的内容,观察内容是否与写入的一致。具体操作步骤如下:
在这里插入图片描述

六、实验结果

1、根据存储器的读写原理,填写下表。
在这里插入图片描述

2、记录向存储器写入数据的操作过程。
按照前面介绍的实验步骤向存储器地址为00H, 01H,02H,03H,04H,05H的单元分别写入数据:55H,33H,44H,66H,08H,F0H。
3、写出读出存储器单元内容的操作过程并记录以下地址单元读出的内容。

地址内容地址内容
0000000055H0000010008H
0000000133H00000101F0H
0000001044H0000100000H
0000001166H0000010008H

七、思考题

1、存储器的地址是放在哪个芯片中的,为什么在输入地址时,控制开关CE=1、LDAR=1?
答:动态存储器芯片,关掉存储器的片选(CE=1),打开地址锁存门控信号(LDAR=1),由开关给出要写入的存储单元地址,T3产生一正向脉冲将地址打入到地址锁存器。
当CE=1时,芯片被选中,可进行读/写操作,否则芯片没被选中,不能进行读/写操作。
当LDAR=1时,将单元的地址送到地址寄存器中。
2、在读存储器内容时控制信号SWB=1、CE=0、WE=0、LDAR=0的含义是什么?
SWB:数据输入开关可用来设置地址或数据。控制信号为逻辑“1”时有效(开关拨向上方),否则无效;
CE:当CE=0时,芯片未被选中;
WE:当WE=0时,进行读操作;
LDAR:当LDAR=0时,将单元的数据读出到数据总线。

八、实验过程出现的问题及其解决方法

有前面几次实验的经验,这次实验也是纯粹将前面的实验步骤再重复操作一遍。CE与LDAR是写地址,WE是写内容,SWB控制读取,改变它们的状态就能得到相应的读取操作结果。

九、心得体会

通过这次实验我解了存储器的工作特性,也熟悉了静态存储器的操作过程,进一步也验证了存储器的读写方法。

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