电工学1--学习

1.1金属导电

金属导电是由于金属内有好多自由电子
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1.2半导体的导电特性

1.2.1本征半导体

1.2.2晶体结构

形成的共价键---->容易挣脱原子核束缚---->自由电子移动
再： 单子移动后---->形成空穴----->原来不带电现在变成电中性
再：当加上外电场---->有空穴的原子吸引相邻原子的电子---->这导致原来原子产生空穴---->如此下去 ---->好像空穴在流动

自由电子和空穴都成为 载流子；

1.3N型、P型

N —>掺入5价—>电子多

P —>掺入3价—>空穴多

1.4PN结

2021-10-24 思考
刚开始以为N型掺杂3价呢 因为3价吸引一个电子 形成4的稳定 所以在原来的基础上增加了一个电子 带负电 是negative
同理 P----->5价----->容易失去一个电子------>带正电

不过 上面的是错误的！！！！！！！！！！

其实 N ---->5价------>失去一个电子----->电子流动是从N–>P 所以 —>电流从P—>N z

这样的理解是基于动态的，所为的NP ，不单单是正负 更是PN结里面电子运动导致的电场

看上面1.3中的P型N型的描述 没有说电子失去带正电 电子得到带负电 所以一开始 的理解是不合理的
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这个视频不错
如图：
P—>空穴多
N---->电子多
所以—>P的空穴----->流向N区------>交界处形成负的空间电荷区
同理—>N的电子----->流向P区------>交界处形成正的空间电荷区

所以 这个~~空间电荷区~~ —>叫做 PN结 ，耗尽层 阻挡区

1.5 扩散和漂移

1.少子 多子
2.扩散~ 漂移
3.是动态平衡
4.小结：PN结中同时存在多子的 扩散运动和少子的漂移运动，达到动态平衡时，扩散运动产生的扩散电流和漂移运动产生的漂移电流互相抵消，PN结中的电流为0.

1.6 PN结的单向导电性

1、外加正向电压（也叫正向偏置）

外电场与内电场方向相反，内电场削弱，
扩散运动大大超过漂移运动
------->>>>>>N区电子不断扩散到p区，P区空穴不断扩散到N区
形成较大电流 ---->导通

2、外加反向电压（也叫反向偏置）

外加电场与内电场相同，增强了内电场
多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流IR很小
这时称PN结处于“截止”状态

总结
Uon 约为 0.5V（硅）
Uon约为 0.1V（锗）
1）、外加正向电压较小时，不足以克服内电场对多子扩散的阻力，PN结仍然处于截止状态。
2）、正向电压大于“开启电压Uon”后，i随着u增大迅速上升。
3）、外加反向电压是，PN结处于截止状态，反向电流IR很小。
4）、反向电压大于“击穿电压URB”时，反向电流IR急剧增加。

1.7半导体二极管

点接触型
a.接触面积小,流过电流小
b.结电容小,工作频率高
c.适用于 高频电路 和 小功率整流 和 开关元件

面接触型
a.接触面积大，流过电流大
b.结电容大，工作频率较低
c.一般作为整流管

1.7.1伏安特性

正向压降：
硅：0.6----0.8V
锗：0.2----0.3V

死区电压：
硅：0.5V
锗：0.1V

加反向电压：

主要参数：

1.7.2二极管主要作用

1，整流
2，检波
3，限幅
4，元件保护
5，做电子开关

1.8 题目

2.三极管

讲解视频
1----------->
三极管
E掺杂最高
B区做的很薄，掺杂很少

2------>



3------>
为了使其导通，给BE加上电源
此时 ：

BE的PN结正偏，------>E区的电子源源不断的从E—>B，不过 B区短时间接受不了那么多电子------>电子就会流到C区，

问题
两个二极管可以做成一个三极管不

不可以 关键是两个二极管不能构成足够薄的基极。

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