SRAM和DRAM

DRAM芯片

DRAM芯片用于主存。
DRAM与SRAM的核心区别是：DRAM使用栅极电容存储信息，而SRAM使用双稳态触发器存储信息。

栅极电容 VS 双稳态触发器

栅极电容

读出1：电容内存储了电荷，MOS管接通，电容放电，数据线上产生电流。
读出0：电容内未存储电荷，MOS管接通后，数据线上无电流。
注：
1.电容放电信息被破坏，是破坏性读出。读出后应有重写操作，也称“再生”。
2.读写速度更慢。
3.每个存储元制造成本更低，集成度高，功耗低。
4.电容内的电荷只能维持2ms。即便不断电，2ms后信息也会消失。
5.2ms之内必须“刷新”一次（给电容充电）。

双稳态电容

1：A高B低。
0：A低B高。
注：
1.读出数据，触发器状态保持稳定，是非破坏性读出，无需重写。
2.读写速度更快。
3.每个存储元制造成本更高，集成度低，功耗大。
4.只要不断电，触发器的状态就不会改变。

DRAM VS SRAM