关于电刺激中的H桥的自举电路问题

自举电路

自举电路用于MOS管的高端驱动时，基本原理是电容两端的电压差值不能突变，注意是两端的差值，不是一端的电压值不突变。如图所示

在H桥的自举电路中(完整电路未画出，还有另一半电路)，采用了两个NMOS管分别为U9和U10，其中NET4引脚连接负载，NET3与NET5分别为单片机的控制引脚，VCC为负载驱动电压。

NOMS管的驱动条件是VGS>V1（V1为mos导通电压），若要导通U9，需要NET5引脚的电压大于NET4处的电压，而NET4的电压在一开始是没有电压值，当导通后，负载的供电电压VCC作用于NET4处，若VCC小于NET5还可以继续工作，如果VCC为高电压，则无法继续工作NMOS管又返回截至状态。

利用电容两端电压不能突变的特性，在mos管的GS两端并联一个电容（图中电容随便取的不能作为参考）NET5引脚接到电容为电容充电，这样C32两端的电压值为3.3v，当mos导通之后，负载电压使NET4=VCC，由于电容电压不突变，即电容两端的相对电压值为3.3v，电容进行放电，此时电容连接mos管源极的电压值变为3.3v+VCC，则Vgs=Vg-Vs=3.3+VCC-NET4=3.3+VCC-VCC=3.3仍然可以导通。

同时，在电容与单片机引脚之间加一个二极管，因为当导通之后电容上端的电压为3.3+VCC，防止对单片机造成损坏，加一个二极管这样二极管下端的电压大于上端的电压值，二极管无法导通。

至此简单的自举电路已经结束了，简单来说就是利用电容电压不突变，利用电容的充放电过程，导通之前控制引脚为电容充电，负载导通之后，电容放电使VGS电压拉高；因此在实际应用中要不断的让电容充放电来维持VGS两端的电压。

在本文中给自举电容的充电设计不合理，修改后如下，单独一个电源vcc为电容充电最好。