关于MOS管和三极管中的电阻和电容的作用

三极管:

三极管中的电容C25是起滤波的作用,使控制信号更加的稳定;

基极电阻R35是为了防止基极电流过大;

基极和发射极之间并联的电阻R37是为了当BJT1引脚悬空时,确保BJT1的引脚电平被下拉至GND,确保三极管不会导通,因为控制引脚悬空时是高阻态的情况;并且当BJT1引脚输出高电平导通三极管时,R37几乎不会产生分压效果,相当于被Rbe电阻短路,因为Rbe电阻远小于R37的10k;

具体模拟情况如下所示;

MOS管:

mos管电路中的栅极电阻R42和R43同样是为了限流,除此之外R42栅极电阻还是MOS管的开启电阻,如果该电阻过大会导致MOS开启速度慢,如果电阻过小会导致控制信号震荡;

至于U15二极管是为了让mos管关断时更加的迅速如下图所示,在mos管关断时,高dVds/dt在寄生米勒电容Cgd中产生位移电流I。位移电流通过栅极电阻Rg产生一个加在MOSFET栅极的电压,如果这个电压过高,超过MOSFET的阈值电压,会导致MOSFET发生寄生导通。这样,我们加了一个二极管U14当mos的栅极电压达到二极管导通电压时,电荷就会通过二极管,这样就不会误触发G极;

这也是R44并联在G极和S极电阻的作用,关断时卸掉旁路电容的电荷;

作者补充:虽然我无法在模拟软件中做出这个过程,但是在模拟过程中发现了三极管和mos管的区别,三极管是电流元件,而mos管是电压元件;通过电压表1和电压表2的电压数值就可以看出,三极管基极有电流流过,所以基极电压是BE(基极和发射极)导通电压接近0.7v,而mos管的GS极是没有电流流过的,是电压器件;

后来又补充了几个证实了这一想法;

参考:

(45 封私信 / 82 条消息) mos管栅极反并二极管为了加速关断,为什么不需要加速开通呢? - 知乎 (zhihu.com)

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MOS在控制器电路的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。MOS主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗,不同mos这个差距可能很大。   MOS损坏主要原因:过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;过压----------源漏过压击穿、源栅极过压击穿;静电----------静电击穿,CMOS电路都怕静电;Mos开关原理(简要):Mos是电压驱动型器件,只要栅极和源级间给一个适当电压,源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为mos内阻,就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了mos芯片能承受的最大导通电流(当然和其它因素有关,最有关的是热阻),内阻越小承受电流越大(因为发热小)。Mos问题远没这么简单,麻烦在它的栅极和源级间,源级和漏级间,栅极和漏级间内部都有等效电容。所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程(电容电压不能突变),所以mos源级和漏级间由截止到导通的开通过程受栅极电容的充电过程制约。然而,这三个等效电容是构成串并联组合关系,它们相互影响,并不是独立的,如果独立的就很简单了。其一个关键电容就是栅极和漏级间的电容Cgd,这个电容业界称为米勒电容。这个电容不是恒定的,随栅极和漏级间电压变化而迅速变化。这个米勒电容是栅极和源级电容充电的绊脚石,因为栅极给栅-源电容Cgs充电达到一个平台后,栅极的充电电流必须给米勒电容Cgd充电。这时栅极和源级间电压不再升高,达到一个平台,这个是米勒平台(米勒平台就是给Cgd充电的过程),米勒平台大家首先想到的麻烦就是米勒振荡。(即,栅极先给Cgs充电,到达一定平台后再给Cgd充电)。因为这个时候源级和漏级间电压迅速变化,内部电容相应迅速充放电,这些电流脉冲会导致mos寄生电感产生很大感抗。这里面就有电容、电感、电阻组成震荡电路(能形成2个回路),并且电流脉冲越强频率越高震荡幅度越大,所以最关键的问题就是这个米勒平台如何过渡。Gs极加电容,减慢mos管导通时间,有助于减小米勒振荡。防止mos管烧毁。过快的充电会导致激烈的米勒震荡,但过慢的充电虽减小了震荡,但会延长开关从而增加开关损耗。Mos开通过程源级和漏级间等效电阻相当于从无穷大电阻到阻值很小的导通内阻(导通内阻一般低压mos只有几毫欧姆)的一个转变过程。比如一个mos最大电流100a,电池电压96v,在开通过程,有那么一瞬间(刚进入米勒平台时)mos发热功率是P=V*I(此时电流已达最大,负载尚未跑起来,所有的功率都降落在MOS管上),P=96*100=9600w!这时它发热功率最大,然后发热功率迅速降低直到完全导通时功率变成100*100*0.003=30w(这里假设这个mos导通内阻3毫欧姆),开关过程这个发热功率变化是惊人的。如果开通时间慢,意味着发热从9600w到30w过渡的慢,MOS结温会升高的厉害。所以开关越慢,结温越高,容易烧mos。为了不烧mos,只能降低mos限流或者降低电池电压。比如给它限制50a或电压降低一半成48v,这样开关发热损耗也降低了一半,不烧管子了。这也是高压控容易烧管子原因,高压控制器和低压的只有开关损耗不一样(开关损耗和电池端电压基本成正比,假设限流一样),导通损耗完全受mos内阻决定,和电池电压没任何关系。其实整个mos开通过程非常复杂。里面变量太多。总之就是开关慢不容易米勒震荡,但开关损耗大,管子发热大,开关速度快理论上开关损耗低(只要能有效抑制米勒震荡)。但是往往米勒震荡很厉害(如果米勒震荡很严重,可能在米勒平台就烧管子了),反而开关损耗也大,并且上臂mos震荡更有可能引起下臂mos误导通,形成上下臂短路。所以这个很考验设计师的驱动电路布线和主回路布线技能。最终就是找个平衡点(一般开通过程不超过1us)。开通损耗这个最简单,只和导通电阻成正比,想大电流低损耗找内阻低的。

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