存储器种类详细介绍

赤赤_流星雨

已于 2024-04-20 22:39:12 修改

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文章标签：单片机嵌入式硬件电脑笔记

于 2024-04-20 22:35:56 首次发布

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存储器种类详细介绍

1. 存储器宏观分类
2. 易失性存储器
3. 非易失性存储器
- 3.1 ROM
- 3.2 Flash
4. 总结框图
5. 参考资料

1. 存储器宏观分类

很多时候大家总是对存储器的相关称呼似懂非懂，每次看见一个存储器的种类名称，继熟悉又陌生。本文主要就针对于存储器的各种分类进行介绍。
从最大范围的角度上划分，存储器应该分为易失性存储器和非易失性存储器。顾名思义，易失性存储器的意思就是掉点后重新上电，那么之前存储的内容将会丢失，而非易失性存储器中存储的内容不会因掉电而丢失。但是，易失性存储器中内容的读写速度比非易失性存储器快得多。因而通常非易失性存储器都是用来作为需要长期保存的数据、文件等内容的存储器，如电脑的硬盘（通常在资源管理其中显示为磁盘C、磁盘D等），手机的内存（注意手机的内存与运行内存是不同的·），显然，只要用户不手动保存相关文件到机器，那么这个存储器中的内容通常不变或变化周期相对较长；而易失性存储器则通常用来作为需要迅速变化，高效执行的数据的存储器，如电脑的内存、手机的运行内存等，通常只要机器是上电的，那么该机器的这个存储器中的内容将每时每刻都在高速变化以保持该机器的正常运行。
如称一台电脑是8G+512G的，那么组指标里面，8G代表了电脑的内存大小，也就是易失性存储器的存储空间大小，这个值主要就表征了电脑的运行速度和同时处理多项任务的能力，通常内存越大，电脑运行速度越快，且同时执行多项任务时仍能保持各项任务的执行速度并且不易死机；而其中的512G则代表了电脑的硬盘容量，是非易失性存储器的大小，这个存储空间的大小表征了你可以在这台电脑中存储多少容量的数据，文件，这个值越大，你就可以在电脑中存储更多的文件，安装更多的软件。对于手机，比如8G+256G，则8G指的就是手机的运行内存，其作用对应了电脑的内存，256G就是手机的内存，对应电脑的硬盘。
另外，由于通常CPU的执行速度都是GHz数量级的，频率非常快，那么如果要使用读写缓慢的非易失性存储器来实现在编辑文件时实时跟上CPU的处理速度来保存，那是非常困难的，因而可以选择读写更快速的易失性存储器来跟上CPU的处理速度。

2. 易失性存储器

通常易失性存储器就认为是随机存取存储器（Random Access Memory, RAM）。之所以叫随机存取存储器，就是因为它可以随机任意读取存储空间中任意一个地址的数据，而不需要像以前的磁鼓一样必须旋转，按顺序读取数据（如磁带）。
RAM又可以分为动态随机存储器（Dynamic RAM, DRAM）和静态随机存储器（Static RAM, SRAM）。

2.1 SRAM

SRAM之所以叫静态，是因为它是通过一组锁存器来存放数据位的（一位SRAM存储单元共包含6个MOS管），而锁存器中不含有电感电容，其存储的值是可以在不掉电的情况下一直稳定保持的而不需要不断刷新来保持数据。
由于1位的SRAM存储单元包含的元件数目多，所以SRAM不易于集成，且生产成本高。而由于SRAM中不需要给电容充放电，所以速度相对较快。另外，通常SRAM中使用的是异步通讯。

2.2 DRAM

DRAM之所以叫动态存储器，就是它需要不断刷新电容。DRAM的存储方式是根据一个电容中存储的电平高低来存储0和1的（1位DRAM存储单元包含1个MOS管和1个电容），而实际上电容也会自动地慢慢放电，所以需要不断刷新给放电的电容充电，以使存储高电平的电容继续保持高电平。
由于1位的DRAM存储单元包含的元件数目少，所以DRAM易于集成，生产成本低。但由于DRAM存储数据需要给电容充放电，所以速度相对较慢。另外，通常DRAM中使用的是同步通讯，所以通常DRAM还称为同步DRAM（Synchronous DRAM, SDRAM）。对于SDRAM，基于不同的式中同步数据的准则，还有以下几种分类

种类	特点
普通SDRAM	只在时钟上升沿时数据有效
DDRII SDRAM	在时钟上升沿和下降沿时都数据有效，最高时钟极限频率800MHz
DDRIII SDRAM	在时钟上升沿和下降沿时数据都有效，最高时钟极限频率1600MHz

显然，上升沿和下降沿均可同步数据的情况下，可以比只在一种边沿同步的情况在相同时钟频率下将数据同步速度提升一倍，是一种高效的同步通讯的方法。另外，现在的内存条大多是DDRIII SDRAM了。

2.3 DRAM vs SRAM

指标	DRAM	SRAM
是否需要刷新（本质区别）	是	否
存取速度	较慢	较快
集成度	较高	较低
生产成本	较低	较高
通讯方式	同步	异步

3. 非易失性存储器

在非易失性存储器中，使用了半导体电路的存储器主要分为只读存储器（Read-Only Memory, ROM）和闪存（Flash memory）。Flash通常应用于U盘、固态硬盘（Solid State Disk, SSD）等。对于非半导体的非易失性存储器，则还包括：光盘、机械硬盘（Hard Disk Drive, HDD）以及软盘等。其中光盘是通过高精度激光头照射分辨光盘上不同位置的不同形状的凹槽实现读操作，也可以使用高功率激光烧蚀记录层实现写操作；机械硬盘是一种采用磁介质的数据存储设备，使用步进电机控制磁头对高速旋转的磁盘片上的小颗粒进行磁化来实现对数据的读写操作的；而软盘现在已经基本没有了。
（题外话，如果想要知道自己的电脑的硬盘类型（是HDD还是SSD），这条博客讲了多种方法，并介绍了SSD和HDD各自的优点。而其实查看最方便的，就是直接在资源管理器中选择一个磁盘，右键选择属性，查看硬件，就可以看到硬盘名称。但是需要纠正其中的判断说法，就是并不一定没有SSD字样的就一定不是固态硬盘，如下图中的这个硬盘就是一种紧凑型NVMe固态硬盘。）
在这里插入图片描述

3.1 ROM

ROM包括有：掩模式只读存储器（Mask ROM, MROM）、一次性可编程只读存储器（One-Time Programmable ROM, OTPROM）、可擦除可编程只读存储器（Erasable Programmable ROM, EPROM）、电可擦可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable ROM, EEPROM 或E2PROM），其各自特点如下：

种类	特点
Mask ROM	出厂后不可修改
OTPROM	出厂时未写入数据，用户只可写入一次，而之后不可修改
EPROM	可重复擦除修改，但需要专用紫外线照射擦除
EEPROM	可重复擦除修改，电可擦除，方便

3.2 Flash

Flash分为NOR Flash和NAND Flash。NOR Flash用于存储程序，其结构比较复杂，不易集成，成本高；NAND Flash用于存储数据，其结构比较简单，易于集成，成本低。另外，Flash的内容修改，是需要先擦除原有的数据，就是将所有位都写为1，再对应需要修改到的目标值，将相应需要修改为0的位置0。而Flash的擦除方式都是以整块整块的数据区域进行擦除的。而在写入时，NAND Flash也是必须以整块整块数据的方式写，而NOR Flash却可以一个字节一个字节写入。二者对比如下：

指标	NOR Flash	NAND Flash
同容量成本	高	低
集成度	低	高
介质类型	随机存储	连续存储
地址线和数据线	独立分开	共用
擦除单元	以“扇区/块”擦除	以“扇区/块”擦除
读写单元	可基于字节读写	必须以“块”为单位读写
读取速度	较快	较慢
擦除速度	较慢	较块
可擦除单元大小	大	小
写入速度	较慢	较块
坏块	较少	较多
是否支持芯片内执行	是	否

其中，NAND Flash生产出来后，可能产生坏掉的块会相对NOR Flash更加频繁，所以通常如果在写入NAND Flash时，会尽可能使每一次写入的单元不一样，以减少每一个单元的重复擦除次数，以减少坏块，而NOR Flash就不需要这样的要求。芯片内执行（eXecute In Place, XIP）可以理解为可以以指定内存地址进行数据读写，而NAND Flash则是需要按顺序读写。另外，Flash比机械硬盘的速度快。