应用在研究半导体和半导体材料电学特性的霍尔效应测试系统介绍

霍尔效应法测量磁场的基本原理是什么?

霍尔效应是磁电效应的一种,当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这个电势差就被叫做霍尔电势差.
导体中的载流子在外加磁场中运动时,因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移,并在材料两侧产生电荷积累,形成垂直于电流方向的电场,最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡,从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压.正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数.平行电场和电流强度之比就是电阻率.
因此,对于一个已知霍尔系数的导体,通过一个已知方向、大小的电流,同时测出该导体两侧的霍尔电势差的方向与大小,就可以得出该导体所处磁场的方向和大小.

DX-100霍尔效应测试系统

产品特点：
DX-100霍尔效应测试系统可分为常温，高温，低温，高低温霍尔效应测试系统；用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数；霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。
可测试的样品：
半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe和铁氧体材料等
低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等
高阻抗材料：半绝缘的GaAs, GaN, CdTe等
霍尔系统的组成：
系统由：电磁铁、高精度电源、连接电缆、高精度恒流源、高精度电压表、高斯计、标准样品、样品安装架、系统软件。为本仪器系统专门研制的DX-320效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍耳测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。DX-320可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材