辅源电路中MOSFET驱动电路如何分析

踢足球的电气工程师

已于 2024-06-04 21:30:17 修改

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分类专栏：驱动电路寄生参数文章标签：驱动开发智能硬件嵌入式硬件

于 2024-06-03 21:39:24 首次发布

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引言：

不知道大家有没有发现，就是电专业，像MOSFET或者IGBT这样的功率开关器件，我们在好多课上都会涉及，我依稀记得本科的时候，模拟电子技术课上会教，专业课电力电子技术课上会上，电机与电力拖动课上也会涉及驱动电路，那里也有。研究生功率电子学（我们俗称加强版的电力电子技术）以及其它选修课程都会遇到。但是好像无论上了很多次，依旧记不住它，或者不会去分析有它存在的电路。今天刚好给新入职的同事讲解，我想自己也谈谈关于工作上MOSFET电路怎么去理解，怎么去运用。考虑这一部分内容还是蛮多的，所以可能持续更新一下，如果你之前的老师上课都是对着具有历史意义的PPT，照本宣科或者是只带你了解个大概，我觉得这期的内容可以好好看一下。那我就开始吧。

一、为啥MOSFET、IGBT应用很广泛？什么是MOSFET？

回答第一个问题：在我之前写的开关器件的发展历史与选型这篇博客中，我们其实了解了器件发展的历史，在MOSFET和IGBT之前BJT一直是主导，但是由于产品商业化以后，应用的场合功率在不断的变大，就像现在我们在做的新能源方面的项目，就是不停的加大功率。正是由于功率变大，很多科学家就在不断探索，如何去克服BJT的缺点：不是驱动功率大就是导通压降显著增加或者是开关速度慢，开关损耗大。说白了能量转化效率很重要。经过不停的研究，终于诞生了MOSFET和IGBT，克服了BJT的缺点，开关速度快且驱动功率小。因此在今天依然被工程师们所青睐。

回答第二个问题：场效应晶体管（FET）通过改变GS（栅极-源极）之间的电场，来控制DS（漏极-源极）之间的沟道，从而改变 $T_{_{D}}$ 漏极电流的大小。其中因其导通时只要一种极性的载流子参与导电，因此我们称其为单极型晶体管。根据导电载流子的极性分为：N（电子型）沟道和P（空穴型）沟道。

记忆小妙招1：N是negative负极的缩写，一般电子我们是不是画圈里面用负号，P是positive正极的首字母缩写，一般空穴我们是不是画圈里面用正号。

二、MOSFET的结构与原理

接下来我们看看MOSFET的结构长什么样，有哪些类型。

图一（从左到右依次为）N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型、P沟道耗尽型MOSFET

说到这里很多同学或者同仁，感觉大脑要萎缩了，阿哲，我怎么乍一看长得都一样呀，如何记忆或者如何区分呢。

大家回忆一下高中物理我们是不是学过电场，我们当时在学电场线的时候，是不是如果带正电荷，电场线是不是光芒四射的太阳，方向是不是指外，反过来如果电荷带负电，是不是像犯了大罪的恶人被四面万箭齐发。哈哈哈哈哈哈哈哈哈是不是有点形象，先给你们来张图看看，我们再说记忆方式。

图二（从左到右依次为）正电荷、负电荷的电场情况

记忆小妙招2：好好观察图一，是不是只有两处不同，第一处中间是竖直虚线或者竖直直线，第二处箭头方向指向G或者背离G。所以记忆如下：N沟道，想象沟道是电子，是负电荷，所以万箭齐发，射向自己，也就是箭头指向G极。同理P沟道，想象沟道是空穴，是正电荷，所以光芒四射，箭头背离G极。那增强型与耗尽型如何记忆呢，这样想，是不是身体虚弱的加强锻炼增强免疫力，是不是有钱了才去潇洒挥霍。因此竖直虚线因为不足，所以才才增强，反之，竖直直线因为满了，才去消耗它。

讲完了如何记忆结构，接下来我们需要了解其工作原理了，考虑到我们在以后的设计或者器件使用种，超大概率都是N沟道增强型MOSFET，所以我们以此为例来阐述。如下图三所示：

图三 N沟道增强型MOSFET

从图三我们可以看出，我们常要用的3个极：G（栅极）、S（源极）、D（漏极）都是金属，所以才导电。其次我们可以看到N沟道和P衬底。当GS之间不加电压时，无导电沟道。因为从图三我们可以看到从左到右，S对应N+，G对应P，D对应N+，总有一个PN结起到反向阻断，不可能产生电流。一旦当 $U_{GS}$ 不断增加，意味着G极与S极之间存在正向电场，此时两个N+之间的位置空穴就顺着电场线的方向往P型衬底方向移动，与此同时，P型衬底的电子往两个N+之间的位置移动。当 $U_{GS}$ 不断增加到阈值电压（我们也称开启电压） $U_{GS-th}$ 时候，导电沟道形成。此时如果如果在D极与S极之间加正向电压 $U_{DS}$ ，就会产生漏极电流 $I_{D}$ 。

Q：有人可能会问，为啥GS两端电压必须要到阈值电压才可以呢？

A：这里我给大家举个例子，如果我们面前有条小溪，我们是不是无法过去，那怎么办呢，我们可以不断的往小溪里投掷大块石头，我们一旦给正向栅源电压，电子往沟道里填充，就相当于这个过程，是不是我们需要投一会大块石头，才能形成走的路，你投的越多，我们走的是不是越轻松，对应这里也是一样，你电压加的越大，电子移动的速度越快，沟道形成的就越快。但是一旦我们石头投掷的区域够我们走了，是不是再怎么投掷都不会增加我们过桥的速度呀，沟道也是这样。

三、MOSFET的寄生参数

接下来，我们要好好阐述一下MOSFET的寄生参数，因为这个对后续驱动电路的设计和分析有很大影响。还是接着第二个标题原理，我们继续谈，是不是我们都必须加直流电压，不加电压就不行，而且电压增加好像还不是线性变化的，基于上面这几点，我们分析一下，提取核心词：阻碍+非线性，我们能联想到那些，是不是就电感或者电容，然后电感是阻碍交流，这里是直流电压，所以我们寄生参数选择电容最为合适不过了。

首先我们有3个极，每个极之间其实都有阻碍，因此我们就有了3个电容，分别为：G极-S极之间的电容 $C_{GS}$ 、G极-D极之间的电容 $C_{GD}$ 以及D极-S极之间的电容 $C_{DS}$ 。根据高中我们学电容器的时候知道，电容值与电压成反比，这里也是一样。