EEPROM手册解读

一、EEPROM简介(24LC04B)

1.时钟频率 :100KHZ,400KHZ

2.存储结构:24LC04B是一个由两块256x8位内存(memory)组成的4kbit存储容量的ROM。

3.关键时间参数:高低电平最低保持时间

二、EEPROM数据传输时序

1.EEPROM数据传输

1)SCL高电平时,SDA拉低,启动数据传输;启动状态必须在所有命令之前。

2)检测到有效地址(7bit器件地址 + 1bit读写控制位);读写控制:READ-1,WRITE-0

3)传输改变数据;用先入先出的FIFO实现数据传输

4)应答,当SDA高电平期间检测到SDA为低电平,为有效应答

5) SCL高电平时,SDA拉高,关闭数据传输;所有操作必须以停止条件结束

2.EEPROM数据写时隙

2.1 单字节写

START + 写控制字节+ ACK + 字节地址 + DATA + STOP

2.2 页写

注:页写一次最多能传输16字节数据(buffer只能存储16byte);如果超过16字节,则之前的数据会被覆盖

3.EEPROM数据读时隙

3.1 当前地址读取

从上一个指令停止的地址,向后加1,执行读操作,读1字节。

3.2 随机地址读取

STRAT + 写控制字节(虚写)+ ACK + 字节地址 + ACK + START + 读控制字节 + ACK + DATA +NACK + STOP

注意: 为什么要发送虚写命令?

        这是因为我们需要使从机内的存储单元地址指针指向我们想要读取的存储单元地址处,所以首先发送了一次Dummy Write也就是虚写操作,只所以称为虚写,是因为我们并不是真的要写数据,而是通过这种虚写操作使地址指针指向虚写操作中字地址的位置,等从机应答后,就可以按当前地址读的方式读数据了 。

3.3 顺序读取

EEPROM存在一内部地址指针,每完成一次读操作,下一次读地址+1;顺序读取发生在随机读取之后。

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EEPROM是可擦写的电可擦编程只读存储器,它是一种非易失性存储器,通常用于嵌入式系统和微控制器中。EEPROM中文数据手册主要介绍了EEPROM的特性、工作原理、存储结构、接口电路、时序图、特殊功能和应用建议等内容。 首先,数据手册详细描述了EEPROM的特性,包括存储密度、擦写寿命、工作电压范围、温度特性、封装类型等,让用户可以根据自己的需求选择适合的EEPROM产品。 其次,手册介绍了EEPROM的工作原理,包括擦除和编程的过程和机制,以及如何读取和写入数据。这些内容对于用户理解EEPROM的工作方式至关重要,有助于正确使用EEPROM。 此外,手册还详细说明了EEPROM的存储结构,包括页和块的擦除单位,以及如何管理和组织数据,从而更好地利用EEPROM的存储空间。 在接口电路和时序图部分,数据手册展示了EEPROM的通信方式和时序,包括地址传输、数据传输、时钟信号等,帮助用户设计和调试EEPROM的接口电路。 最后,手册给出了一些特殊功能和应用建议,比如数据保护功能、写保护功能、低功耗模式等,以及一些典型的应用电路和案例,方便用户更好地应用EEPROM产品。 总之,EEPROM中文数据手册是用户了解和使用EEPROM产品的重要参考资料,内容丰富、详细,有助于用户更好地理解EEPROM的特性和工作原理,并正确地应用EEPROM产品。

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