全部存储芯片 一次性说清缩写中英文对照

存储芯片类型中英文对照及容量范围

英文名称	英文全称	中文名称	容量范围
EEPROM	Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory	电可擦写可编程只读存储器	几Kb到几Mb
Flash Memory	Flash Memory	闪存	几Mb到几百Gb
FRAM	Ferroelectric RAM	铁电存储器	几Kb到几Mb
SRAM	Static RAM	静态随机存取存储器	几Kb到几十Mb
NAND Flash	NAND Flash Memory	NAND闪存	几Gb到几百Gb
NOR Flash	NOR Flash Memory	NOR闪存	几Mb到几百Mb
MRAM	Magnetoresistive RAM	磁阻随机存取存储器	几Mb到几十Mb
NVSRAM	Non-Volatile SRAM	非易失性静态存储器	几Kb到几Mb
DDR	Double Data Rate SDRAM	双倍数据率同步动态存储器	几百Mb到几十Gb
eMMC	Embedded MultiMediaCard	嵌入式多媒体卡	几GB到几百GB
SD卡/MicroSD卡	Secure Digital Card	安全数字卡	几GB到几百GB
UFS	Universal Flash Storage	通用闪存	几GB到几百GB
Optane Memory	Optane Memory	傲腾内存	几十GB到几百GB
ReRAM	Resistive RAM	电阻式随机存取存储器	几Mb到几十Mb
PCRAM	Phase-Change RAM	相变存储器	几百Mb到几GB
STT-MRAM	Spin-Transfer Torque MRAM	自旋转移力矩磁阻存储器	几Mb到几十Mb
HDD	Hard Disk Drive	硬盘	几百GB到几十TB
SSD	Solid State Drive	固态硬盘	几百GB到几TB
RRAM	Resistive RAM	电阻式随机存取存储器	几Mb到几十Mb
3D XPoint	3D XPoint Memory	3D XPoint存储器	几十GB到几百GB
NVDIMM	Non-Volatile DIMM	非易失性DIMM	几GB到几十GB
HBM	High Bandwidth Memory	高带宽存储器	几GB到几十GB
LPDDR	Low Power Double Data Rate	低功耗双倍数据率存储器	几百Mb到几十Gb
SLC NAND	Single-Level Cell NAND	单层单元NAND	几Gb到几十Gb
MLC NAND	Multi-Level Cell NAND	多层单元NAND	几Gb到几百Gb
TLC NAND	Triple-Level Cell NAND	三层单元NAND	几百Gb到几Tb
QLC NAND	Quad-Level Cell NAND	四层单元NAND	几百Gb到几Tb
DRAM	Dynamic RAM	动态随机存取存储器	几Mb到几百Gb
EPROM	Erasable Programmable Read-Only Memory	可擦写可编程只读存储器	几Kb到几Mb
PROM	Programmable Read-Only Memory	可编程只读存储器	几Kb到几Mb

存储芯片类型选型指南

存储芯片类型	英文全称	中文名	优点	缺点	推荐应用场景	典型接口	容量范围	应用示例	主要品牌	一年出货量（估计）
EEPROM	Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory	电可擦写可编程只读存储器	擦写次数高，长时间数据保存，逐字节操作	容量较小，速度较慢	配置参数、校准数据	I2C、SPI、Microwire	几Kb到几Mb	工业控制器中存储配置信息	Microchip, STMicroelectronics, ON Semiconductor	几亿颗
Flash Memory	Flash Memory	闪存	大容量，长时间数据保存	擦写次数有限，逐块操作	固件存储、文件系统	SPI、Parallel	几Mb到几百Gb	嵌入式设备中的固件存储	Micron, Samsung, Western Digital	数十亿颗
FRAM	Ferroelectric RAM	铁电存储器	无限擦写次数，高速读写，长时间数据保存	容量较小，成本较高	高频数据记录、配置参数	I2C、SPI、Parallel	几Kb到几Mb	医疗设备中存储病人数据	Fujitsu, Texas Instruments, Cypress	几千万颗
SRAM	Static RAM	静态随机存取存储器	高速读写	掉电数据丢失，容量较小	高速缓存、临时数据存储	Parallel、SPI、I2C	几Kb到几十Mb	CPU缓存	Cypress, Renesas, ISSI	几亿颗
NAND Flash	NAND Flash Memory	NAND闪存	大容量，适合海量数据存储	擦写次数有限，需要文件系统管理	大容量数据存储、固件更新	Parallel、SPI	几Gb到几百Gb	智能手机中的数据存储	Samsung, Kioxia, Micron	数百亿颗
NOR Flash	NOR Flash Memory	NOR闪存	读速度快，适合代码存储和执行	容量较小，擦写速度较慢	固件存储、代码执行	Parallel、SPI	几Mb到几百Mb	嵌入式系统中的固件执行	Winbond, Macronix, Cypress	数十亿颗
MRAM	Magnetoresistive RAM	磁阻随机存取存储器	非易失性，高速读写，无限擦写次数	容量较小，成本较高	高速缓存、持久数据存储	Parallel、SPI	几Mb到几十Mb	工业自动化中的高速缓存	Everspin, NVE Corporation	几百万颗
NVSRAM	Non-Volatile SRAM	非易失性静态存储器	SRAM速度，掉电数据保护	成本较高	高速数据存储、掉电保护	Parallel、SPI、I2C	几Kb到几Mb	工业控制系统中的配置数据存储	Cypress, Renesas	几百万颗
DDR	Double Data Rate SDRAM	双倍数据率同步动态存储器	高速读写，大容量	掉电数据丢失，功耗较高	主内存、高速缓存	Parallel	几百Mb到几十Gb	计算机的主内存	Samsung, SK Hynix, Micron	数十亿颗
eMMC	Embedded MultiMediaCard	嵌入式多媒体卡	嵌入式存储，大容量，非易失性	速度较慢	嵌入式系统、移动设备存储	eMMC接口	几GB到几百GB	智能手机中的应用程序存储	SanDisk, Samsung, Kingston	数十亿颗
SD卡/MicroSD卡	Secure Digital Card	安全数字卡	大容量，易于更换和升级	相对较慢	消费电子产品、相机、智能设备	SD接口	几GB到几百GB	数码相机中的照片存储	SanDisk, Samsung, Kingston	数十亿颗
UFS	Universal Flash Storage	通用闪存	高速读写，适合高性能移动设备	成本较高，功耗较高	高性能移动设备、嵌入式存储	UFS接口	几GB到几百GB	高端智能手机中的数据存储	Samsung, Micron, Western Digital	数亿颗
Optane Memory	Optane Memory	傲腾内存	高速度，低延迟，非易失性	成本较高	高速缓存、持久数据存储	NVMe、PCIe	几十GB到几百GB	数据库中的高速缓存	Intel	几百万颗
ReRAM	Resistive RAM	电阻式随机存取存储器	高速度，非易失性，高密度，低功耗	尚未广泛普及，成本较高	高速和高密度存储，物联网设备	SPI、Parallel	几Mb到几十Mb	物联网设备中的数据存储	Crossbar, Panasonic	几百万颗
PCRAM	Phase-Change RAM	相变存储器	中等速度和延迟，非易失性，高耐久性	成本较高	高耐久性存储需求	SPI、Parallel	几百Mb到几GB	高可靠性嵌入式系统	Micron	几百万颗
STT-MRAM	Spin-Transfer Torque MRAM	自旋转移力矩磁阻存储器	高速度，非易失性，高耐久性	成本较高	高速和高耐久性存储需求	SPI、Parallel	几Mb到几十Mb	工业设备中的实时数据存储	Everspin, Samsung	几百万颗
HDD	Hard Disk Drive	硬盘	大容量，价格低廉	速度较慢，机械结构易损坏	大量低成本存储，服务器存储和备份	SATA、SAS	几百GB到几十TB	数据中心中的海量数据存储	Seagate, Western Digital	数亿块
SSD	Solid State Drive	固态硬盘	高速度，低延迟	价格较高	操作系统、应用程序、数据库存储	SATA、NVMe、PCIe	几百GB到几TB	笔记本电脑中的系统存储	Samsung, Western Digital, Intel	数亿块

十八、总结与应用示例

在选择存储芯片时，考虑以下几个关键因素：

1. 容量需求： 确定需要存储的数据量，例如，物联网设备通常需要几MB到几十MB的存储，而数据中心可能需要几TB到几十TB的存储。
2. 速度要求： 根据应用场景确定读写速度和延迟要求。例如，计算机主内存需要高速存取，而嵌入式系统可能更关注非易失性和数据安全。
3. 耐久性： 考虑擦写次数和使用寿命。例如，高频数据记录需要耐久性高的存储芯片如FRAM或MRAM。
4. 数据保持： 确定是否需要非易失性存储。例如，配置数据和固件通常需要非易失性存储。
5. 功耗： 低功耗需求的应用需要特别关注功耗参数，例如，物联网设备需要低功耗的存储芯片。
6. 接口类型： 确保所选存储芯片与系统接口兼容。例如，嵌入式系统可能更适合使用SPI或I2C接口的存储芯片。