AHB Flyback(不对称反激变换器)

     不对称反激变换器为另一种新型的高功率密度软开关变换器,其原边使用激磁电流实现上、下桥主功率管的ZVS零电压开关,次级整流管为ZCS零电流工作,适合于高功率密度高效率快充、适配器等应用要求。
     这种变换器输出电压决定原边半桥的上管工作的导通时间,原边半桥的下管工作在COT固定导通时间,其导通时间由谐振频率所决定,不对称反激变换器电路结构如图1所示,若输出整流二极管换为功率MOSFET,则称为同步整流。不对称反激变换器工作的波形如图2所示。


相关元件符号和物理量的规定:
S1:原边半桥高端功率管,上管
S2:原边半桥低端功率管,下管
DR;次级整流二极管
Cr:原边串联谐振电容
Lm:变压器原边激磁电感
Lr:变压器原边漏感
SR;次级同步整流功率管
Np:变压器原边绕组匝数
Ns:变压器次级绕组匝数
n:变压器的匝比,n = Np/ Ns


VSW:半桥连接的开关接点电压,也是S2的D、S两端电压
iLm:变压器原边激磁电感的电流
iLr:变压器原边漏感的电流
iDR;次级整流二极管的电流

 

(a)不对称反激变换器

(b)不对称同步整流反激变换器

图1:不对称反激变换器电路结构
 

图2:不对称反激变换器工作波形

工作原理分析
不对称反激变换器的一个开关周期可分为6个工作模式,分别分析如下。

1、模式1:T0-T1
开关状态:S1处于导通,S2处于截止,DR处于截止


变压器Lm和Lr的电流从0开始增加,谐振电容Cr充电,没有能量传输到次级的输出负载。
T1时刻,S1关断。

 

图3:模式1的等效电路

2、模式2:T1-T2
开关状态:S1处于截止,S2处于截止,DR处于截止


T1时刻,S1关断,(Coss1+Coss2)和(Lr+Lm)谐振,Coss1充电,Coss2放电,直到T2时刻,Coss1的电压充电到VIN,Coss2的电压放电到0。


 

图4:模式2的等效电路


Coss2的电压VSW放电到0后,其体内寄生二极管DS2导通,将其二端电压箝位到0。


 

3、模式3:T2-T3
开关状态:S2处于导通,S1处于截止,DR处于截止


T2时刻,DS2导通箝位。在T2之后某一时刻开通S2,此时由于DS2导通,S2的VDS电压为0,因此S2是零电压开通ZVS。

(a)模式3的DS2导通

(b)模式3的S2 ZVS开通
图5:模式3的等效电路


这个阶段开始时,谐振电容的电压VCr会稍微增加,次级绕组Ns的正偏电压也会增加,但其电压仍低于输出电压Vo,因此次级整流二极管DR不会导通。


在T3时刻,次级绕组的电压VNs增加到输出电压Vo,因此次级整流二极管DR导通。

4、模式4:T3-T4
开关状态:S2处于导通,S1处于截止,DR处于导通


在T3时刻,DR导通,输出电压反射到原边绕组Np,其电压变为:
VNp = -nVo


此时,Lm和Lr分开,形成各自的回路:
(1)Lm电感储存的能量通过次级绕组,向输出负载传输。
(2)Lr、Cr和电压源-nVo串联谐振,满足下面条件:

谐振电容Cr反射到次级输出端,次级电流波形为正弦波,其频率就是变压器的寄生电感和谐振电容Cr所决定,这部分能量也通过次级绕组,向输出负载传输。


因此,次级整流二极管的电流iDR为iLr和iLm的电流差值:
iDR = (iLm–iLr)*n


在这个阶段,Lr和Cr串联谐振,iLr过0后,反向继续谐振;然后,经过一段时间, iLm也过0,反向激磁继续增加。

(a)模式4的DR导通

(b)模式4的iLr过0后反向增加

(c)模式4的iLm过0后反向增加
图6:模式4的等效电路


在T4时刻,iLr和iLm的电流相等:
iLr=iLm
次级绕组的电流减小到0,DR关断,ZCS关断,同时,在T4时刻,S2关断。


 

5、模式5:T4-T5
开关状态:S1处于截止,S2处于截止,SR处于截止


T4时刻,同时关断SR和S2,(Coss1+Coss2)和(Lr+Lm)谐振,Coss1放电,Coss2充电,直到T5时刻,Coss2的电压充电到VIN,Coss1的电压放电到0。


 

图7:模式5 的等效电路


Coss1的电压放电到0后,S1的体内寄生二极管DS1导通,将其二端电压箝位到0。


 

6、模式6:T5-T6
开关状态:S1处于导通,S2处于截止,SR处于截止


T5时刻,DS1开通,Lr和Lm的电流相等且同时反向激磁,增加到反向电流的最大值;然后在正向电压的作用下,从反向电流的最大值逐渐减小,在T6时刻其电流减小到0,然后继续正向增加,进入下一个同期。


在T5之后某一时刻开通S1,此时由于DS1导通,S1的VDS电压为0,因此S1是零电压开通ZVS。

(a)模式6的DS1导通

(b)模式6的S1 ZVS导通

(c)模式6的Lm正向激磁
图8:模式6的等效电路

 

图2:非对称反激变换器波形

AHB Flash控制器是指在Flash存储控制器中的AHB从接口。AHB是Advanced High-performance Bus的缩写,是一种高性能的总线接口,用于连接处理器和外设。在Flash存储控制器中,AHB从接口负责与AHB总线进行通信,实现对Flash存储器的读写操作。通过AHB Flash控制器,处理器可以直接访问Flash存储器,并进行相关的读写操作。同时,通过硬件实现的写保护机制,可以保护Flash设备的数据安全性。当来自AHB总线的写操作的目的地址是Flash被保护的区域时,AHB Flash控制器会产生错误信号来保护Flash设备。因此,AHB Flash控制器在嵌入式系统中扮演了重要的角色,实现了对Flash存储器的控制和保护。<span class="em">1</span><span class="em">2</span><span class="em">3</span> #### 引用[.reference_title] - *1* [Flash存储控制器组成!(flash)](https://blog.csdn.net/weibo1230123/article/details/83931311)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 33.333333333333336%"] - *2* [QSPI Flash存储控制器(AHB从设备接口)](https://blog.csdn.net/lsshao/article/details/119755406)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 33.333333333333336%"] - *3* [一种支持在线升级的NOR Flash控制器设计](https://download.csdn.net/download/weixin_38636671/12930194)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 33.333333333333336%"] [ .reference_list ]
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