前言
由于MOSFET是电压型器件,当驱动电压Vgs大于Vth电压就可以开通,开通就是给寄生电容充电的过程,同理,关断就是寄生电容的放电过程。
寄生电容
输入电容Ciss=Cgs+Cgd,由DS短路测得
输出电容Coss=Cgd+Cds,GS短路,Cgd和Cds并联所得
反向传输电容Crss=Cgd,也叫米勒电容。这个电容不是恒定的,它随着G极和D极间电压变化而迅速变化,同时会影响G极和S极电容的充电。
开通过程
Vth——MOSFET的GS极之间开启阈值电压,这个阈值电压(Gate-source threshold voltage),完整的标记为VGS(th),是MOSFET的重要参数之一,一般简单标记为Vth,定义为可以在源极和漏极之间形成导电沟道的最小栅极偏压。
VP——米勒台阶电压,是指在MOSFET开关过程中,栅极电压在一定时间内保持稳定的电压值。在这个时间段内,栅极电压不随着栅极电流的变化而变化。
MOSFET从关闭到完全导通可以分为下面几个阶段:
1)0-t1(截止区):在VGS还没到来之前的阶段,此时 MOSFET 完全没有打开,电路本质就是一个RC充放电电路,如下图所示,该阶段Id等于0,MOSFET处于截止状态。
2)t1-t2(饱和区):MOSFET开始“松动”了,Id从0开始增加,按照一个压控电流源的形式和一定的斜率线性增加。该斜率由这个压控电流源的跨导决定。MOSFET 在这个阶段有漏极电流开始流过,VDS仍然保持Vdd。此上升斜坡持续直至第二阶段的结束时刻,电流 Id 达到饱和或达到负载最大电流,VGS一直上升达到米勒平台电压VP
3)t2-t3(米勒区):VGS被限制于固定值(MOSFET的传输特性),故在此期间Cgs不再消耗电荷,驱动电流转而流向Cgd并给其充电。VDS由高压几乎变成0,这个过程Cgd的两端极性反转,所以Ig给Cgd充电所需要的电荷比较大。在此区间由于VDS变化很大, MOSFET逐渐进入于可变电阻区。
4)t3-t4(线性区):在 Ig 的继续充电下,VGS 又进入线性上升阶段。这时候漏极电压下降至 VDS =Id *RDS(on),此时MOSFET的工作状态进入了电阻区,栅极电压不再受漏极电流影响自由上升。
MOSFET关断是开通的逆过程。
重点讨论:在米勒区,D极电压开始变化,就会产生非常大的dv/dt,通过电容Cgd,产生的电流为:igd=Cgd*dvdt
这个电流足够大,可以将驱动电路能够提供的电流都抽取过去,驱动电路的电流几乎全部流过Cgd,以扫除Cgd电容(米勒电容)存储的电荷,这样Cgs电容几乎没有电流流过,栅极电压也就基本维持不变,可以看到Vgs在一段时间她t2- t3内维持一个平台电压。米勒平台电压,由系统的最大电流Id(max)和MOSFET的Vth、跨导来决定。
随着Vds电压不断的降低,Vgd的电压绝对值也不断的降低, Vgd的电压由负变为0,然后开始正向增加。当Vds电压降低到最低值时,米勒电容的电荷基本上被全部扫除。