MOS三端的定义

MOS（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）有三个电极，分别称为源极（S）、栅极（G）和漏极（D），以下是对这三端的详细定义：

源极（Source） 

定义：源极是MOS管的一个电极，在N沟道MOSFET中，它是电子的来源端；在P沟道MOSFET中，它是空穴的来源端。通常，源极与衬底（B）在内部是相连的，或者在外部通过导线短接在一起。

作用：在电路中，源极是载流子的起始点，电流从源极流出或流入，具体取决于MOS管的类型和工作状态。它为MOS管的导电沟道提供载流子，是MOS管正常工作的基础。

符号表示：在MOS管的电路符号中，源极通常用字母“S”表示。

栅极（Gate） 

定义：栅极是控制MOS管导通和截止的电极，它与源极和漏极之间通过一层很薄的二氧化硅绝缘层隔开，形成一个金属-氧化物-半导体结构。

作用：当栅极相对于源极施加一定的电压时，会在栅极下方的半导体表面形成一个反型层，从而形成导电沟道，使源极和漏极之间能够导通电流。通过控制栅极电压的大小和极性，可以精确地控制MOS管的导通程度和电流大小，实现对电路的放大、开关等功能。

符号表示：在MOS管的电路符号中，栅极通常用字母“G”表示。

 漏极（Drain） 

定义：漏极是MOS管的另一个电极，与源极相对应，在N沟道MOSFET中，它是电子的漏出端；在P沟道MOSFET中，它是空穴的漏出端。

作用：在MOS管导通时，电流从源极通过导电沟道流向漏极，漏极负责接收从源极传输过来的载流子，并将其传输到外部电路中。它在电路中起到输出电流和连接负载的作用。

符号表示：在MOS管的电路符号中，漏极通常用字母“D”表示。