第二章0201

MOS器件物理0201

第二章

• 基本概念
  • MOS管的结构
  • MOS管的符号
• I/V特性
• 小信号模型
• 二级效应

基本概念

MOSFET的结构

可设计的参数：

  $L_{drawn}:沟道长度$

  $W:电极宽度$

不可设计的参数：

  $t_{ox}:氧化层厚度$

  $N_{sub}:掺杂浓度$

衬底电势

Nmos 衬底通常接地；Pmos 衬底通常接高电位；所有 Nmos 衬底是接一起的，接地

用电位判断漏源极

• P管：高电压S低电压D
• N管：高电压D低电压S

MOS管SD极可交换，双极型非对称

Pmos的B可以不相同，Nmos的B不能不一样

在一个P衬底上制作同时制作NMOS和PMOS这种工艺称为双阱工艺

深阱工艺

• 优点：
  • 对不同的NMOS可以实现隔离的体端
  • 减少了串扰（cross-talks）提高模拟性能
• 缺点：
  • 更大的芯片面积
  • 更高的制造成本（多一层掩膜）
    

MOS管作开关

通过控制$V_{gs}$来控制开关闭合，比双极性功耗低

MOS管作压控电流源