第二章0202

MOS器件物理0202

第二章

• 基本概念
• I/V特性
  • 阈值电压
  • I/V特性
• 小信号模型
• 二级效应

MOS管的I/V特性

阈值电压（Threshold Voltage/$V_{TH}$）

定义：表面刚好出现反型层时的栅压

反型层（Inversion）定义：沟道浓度等于衬底浓度

计算公式：$V_{TH}={\Phi }_{{}_{MS}}+2{\Phi }_{{}_F}+\frac{Q_{{}_{dep}}}{C_{{}_{ox}}}$

${\Phi }_{{}_{MS}}：栅和衬底之间的功函数差$

${\Phi }_{{}_F}：费米能级$

$Q_{{}_{dep}}：耗尽区的电荷密度$

$C_{{}_{ox}}：栅氧化层单位面积电容$

$\begin{array}{cc}{\Phi }_F=& (kT/q)\ln (N_{sub}/n_i)\end{array}$    ~~   $Q_{dep}=\sqrt{4q{\epsilon }_{si}\left|{\Phi }_F\right|N_{sub}}$

• 掺杂浓度和阈值电压不同，阈值电压不同。
• 对于 Nmos 来说，衬底掺杂浓度越高，阈值电压越高

MOS管I/V特性

$I_D={\mu }_n{C}_{ox}\frac{W}{L}[(V_{GS}-V_{TH})V_{DS}-\frac{1}{2}{V}_{DS}^2]$

当$V_{DS}\le V_{GS}-V_{TH}$我们定义 MOS 工作在三极管区(triode region)或者称为线性区(linear region)

$此时|I_D={\mu }_n{C}_{ox}\frac{W}{L}[(V_{GS}-V_{TH})V_{DS}-\frac{V_{DS}^2}{2}],\mathrm{for}{V}_{DS}\le (V_{GS}-V_{TH})$

$特别地,当V_{DS}=V_{GS}-V_{TH}时,I_{D,\max }=\frac{1}{2}{\mu }_n{C}_{\mathrm{ox}}\frac{W}{L}[(V_{\mathrm{GS}}-V_{TH}{)}^2]$

$当\frac{1}{2}{V}_{DS}<<V_{GS}-V_{TH}时,I_D\approx {\mu }_n{C}_{ax}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})V_{DS}$

此时MOS管相当于一个定值电阻

$R_{on}=\frac{V_{DS}}{I_D}=\frac{1}{{\mu }_n{C}_{ox}\frac{W}{L}(V_{{}_{GS}}-V_{{}_{TH}})}$

  ~  $当V_{DS}\ge V_{GS}-V_{TH}$

• 沟道最右端电荷密度为0|$Q_d(x)=W{C}_{OX}[V_{{}_{GS}}-V(x)-V_{{}_{TH}}]$,出现夹断现象(pinch-off)
• 当Vos继续增加时,夹断点会左移

对于长沟道MOS，可以认为L=L’

$\begin{array}{r}{I}_D=\frac{{\mu }_n{C}_{OX}}{2}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH}{)}^2\end{array}$

饱和区$I_D与V_{DS}$无关，只与$V_{GS}$有关

饱和区的MOS相当于一个电流源

$V_{OD}=V_{GS}-V_{TH},V_{OD}为过载电压（overdrivevoltage）$

区的MOS相当于一个电流源

$V_{OD}=V_{GS}-V_{TH},V_{OD}为过载电压（overdrivevoltage）$

$V_{OD}=V_{GS}-V_{TH}=\sqrt{\frac{2I_D}{{\mu }_n{C}_{ox}(W/L)}}$   ~  （设计公式）