国庆day6

本文详细介绍了在ARM架构中使用STM,LDR等指令进行内存写入和读取,以及不同指令后缀如STMIA,LDMIA,STMIB,LDMIB,DA,DB对于内存地址处理的方法。
摘要由CSDN通过智能技术生成

向内存中写:
str:向内存中写一个字(4字节)的数据
strh:向内存写半个字(2字节)的数据
strb:向内存写一个字节的数据
从内存读:
ldr:从内存读取一个字的数据
ldrh:从内存读取半个字的数据
ldrb:从内存读取一个字节的数据
向内存写:
    stm 目标地址,{寄存器列表}
    将寄存器列表中每一个寄存器的值都写道目标地址指向的连续空间之中
从内存读
    ldm 目标地址,{寄存器列表}
    将目标地址指向的连续内存中的数据读到寄存器列表中的寄存器中
stm
ia后缀
 mov r1,#1
    mov r2,#2
    mov r3,#3
    mov r4,#4
    mov r5,#5
    ldr r6,=0X40000000
    stmia r6!,{r1-r5}
    先向r6指向的内存中写一个数据,然后r6保存的地址向地址大的方向增长
ib后缀
mov r1,#1
    mov r2,#2
    mov r3,#3
    mov r4,#4
    mov r5,#5
    ldr r6,=0X40000000
    stmib r6!,{r1-r5}
 先让R6寄存器保存的地址往地址大的方向增长,再向R6寄存器保存的地址中写入数据
da后缀
先向R6指向的内存中存数据,然后R6寄存器保存的地址往地址小的方向增长
db后缀
先将R6寄存器保存的地址往地址小的方向增长,再往R6寄存器保存的地址内存中存入数据
 

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