AOS | 首颗应用新型MRigidCSP封装技术MOSFET

新型AOCR33105E采用最新沟槽功率 MOSFET 技术设计，共漏极结构，简化客户设计。

 

MRigidCSP™ 封装 12V 共漏极双 N 沟道 MOSFET ▲ 

 

新型AOCR33105E采用最新沟槽功率 MOSFET 技术设计，共漏极结构，简化客户设计。买元器件现货上唯样商城。它具有超低导通电阻和 ESD 保护，可提高保护开关和移动电池充电和放电电路等电池管理的性能和安全性。

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日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出了用于电池管理应用的 MRigidCSP™ 封装技术。AOS首颗应用该新型封装技术的12V 共漏极双 N 沟道 MOSFET——AOCR33105E，实现在降低导通电阻的同时提高CSP产品的机械强度。这项新升级的封装技术非常适合智能手机、平板电脑和超薄笔记本电脑的电池应用。

 

现如今便携式电子设备的快速充电功能已逐步优化，这一应用要求电池管理电路具有较低的功率损耗。随着手机厂家和客户对更高充电电流的需求增加，继而需要超低电阻产品来提高电池的性能。在标准晶圆级 CSPs (WL-CSPs) 产品中采用背靠背 MOSFET 时，硅基材的电阻在电池管理应用中占据了总电阻的很大一部分。较薄的基材可降低总电阻，但同时由于较薄的产品也会大大降低产品的机械强度。机械强度的降低可能会在PCB组装回流焊接过程中产生更大的应力，造成芯片翘曲或芯片破裂，从而导致应用端不良。新型AOCR33105E采用最新沟槽功率 MOSFET 技术设计，共漏极结构，简化客户设计。它具有超低导通电阻和 ESD 保护，可提高保护开关和移动电池充电和放电电路等电池管理的性能和安全性。

 

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Peter H. Wilson

AOS MOSFET 产品线资深市场总监

“AOS新型双 N 沟道 MOSFET 率先采用 MRigidCSP 技术封装，可应用于较大的高宽比 CSP 裸片，器件的电性能和封装强壮性都得到了显著提升，具备更高的可靠性。先进的封装结构解决了客户在生产组装过程中出现的形变和断裂问题，为客户提供更高性能和可靠性的解决方案。”AOS MOSFET 产品线资深市场总监 Peter H. Wilson 说道。

 

主要特性

 

 

关于AOS

Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS）为集设计、开发生产与全球销售一体的功率半导体供应商，AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的功率MOSFET, SiC, IGBT, IPM, TVS, 栅极驱动器, PowerIC以及数字电源产品系列。AOS开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖功率半导体行业的最新进展，使我们能够引入并创新产品，以满足先进电子产品日益复杂的功率要求。AOS的特色在于通过其先进的分立器件和IC半导体工艺制程、产品设计和先进的封装技术，来开发高性能电源管理解决方案。其产品组合广泛应用于包括便携式电脑、平板电视、LED照明、智能手机、电池组、面向消费类和工业类电机控制以及电视、计算机、服务器和电信设备的电源。