微碧 | 采用TO263-7L封装的N沟道MOSFET实现更高功率、高效率的驱动发展

MOS管是常见的一种分立器件，主要作用为将输入电压的变化转化为输出电流的变化。根据衬底掺杂的不同可分为N沟道和P沟道两种，其通过控制栅极的电压来控制源极和漏极之间的电流，从而实现开关功能。

 

 

本期微碧VBsemi给大家介绍近期上新的一款N沟道MOSFET产品，型号为VBL7601,，它可应用于电机驱动电路、充电器等电路。（买元器件现货上唯样商城）这款产品采用了先进芯片贴装工艺，显著改善了封装的热性能。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

产品特性

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

产品特性

 

微碧VBsemi的VBL7601采用N沟道制作，具有出色的性能特点和工作原理。即：栅极施加正向电压时，形成导电沟道连接源极与漏极，实现导通；栅极施加反向电压时，不形成导电通路，实现截止。

VBL7601的导通电阻很低，开关的反应速度非常快，负载电流较大。

参考下图规格书可知：漏源电压30V，栅源电压±20V，漏极电流为200，导通电阻为0.002以及其它各个参数参考。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

封装性能

封装性能封装性能

封装性能

 

VBL7601这款产品采用了TO-263-7L是一种采用先进塑封技术的贴片式封装形式，相较于传统的插件封装方式，它在体积上显得更为紧凑，且在贴片焊接过程中提供了极大的便利性。

 

该封装拥有多个引脚，这些引脚以并联方式连接至源极(S)，这样的设计显著降低了封装的阻抗，进而在大电流工作环境下，能够有效减少导通损耗，提升整体电路的性能表现。

 

 

产品应用

 

以下是该产品的应用亮点：

 

1. 电信号放大电路：其高输入阻抗和低输出阻抗发挥了关键作用，确保了信号的精确放大与驱动，特别是在射频放大、音频放大和功率放大等领域。

 

2. 电机驱动：VBL7601的低导通内阻和快速开关特性，使其能够精确控制电机。

 

3. 电源管理：能够有效地进行电压稳压、电流控制和功率开关操作。通过控制MOS的导通与截止，实现了电源电路的高效能量管理。

 

4. 光电耦合：VBL7601有效地实现了光电信号的放大和隔离功能，如光电耦合器的输出级驱动和信号隔离。

 

 

在MOS选型过程中，以下几点是至关重要的：

 

1.深入了解产品参数和特性：客户必须深入研究N沟道MOS管的关键参数，如电流、电压和功率损耗等，以确保选择的器件能够满足电路设计的具体需求。

 

2.考虑应用环境和场景：明确MOS管的应用环境，包括温度范围和电磁干扰等，以确保MOS管在特定条件下能够稳定运作。

 

3.实现高效运行：正确选择MOS管可以优化电路设计，从而提高系统效率并减少能耗。