【电机控制】TC275芯片——DFlash组件的学习和使用

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前言

在电机控制系统中我们需要处理许多数据，其中对于电机位置偏移量，PID参数等数据，我们要考虑数据的长期保存和掉电保存等问题，而TC275芯片中的DFLASH模块恰好能够满足这一条件，利用外扩的EEPROM特性来存储一些参数，保存一些掉电后需要保存的数据等。

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1、存储器硬件分类

1.1 ROM存储器

Read Only Memory，只读存储器，最初代表一种出厂后只能读不能写、不掉电的设备。烧入数据后，无需外加电源来保存数据，且断电数据不丢失。

• PROM
  PROM，Programmable ROM，可编程ROM。这是一种可以用刻录机将资料写入的ROM内存，但只能写入一次。PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0， 以实现对其“编程”的目的。但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。

• EPROM
  EPROM，Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM。这是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上的透明视窗的方式来清除掉。

• EPPROM
  EEPROM，Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM。功能与使用方式与EPROM一样，不同之处是清除数据的方式，EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。

  借助于EEPROM芯片的特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升级时，把跳线开关打至“ON”的位置，即给芯片加上相应的编程电压，就可以方便地升级；平时使用时，则把跳线开关打至“OFF”的位置，防止CIH类的病毒对BIOS芯片的非法修改。

  EEPROM价格很高，而且写入时间很长，写入很慢。

• FLASH
  Flash Memory，快闪存储器，具有结构简单、控制灵活、编程可靠、加电擦写快捷的优点，而且集成度可以做得很高。

  它综合了前面的所有优点：不会断电丢失数据，快速读取，电可擦写可编程，并且很便宜，因此成功地获得了广泛的应用。

  缺点是：FLASH必须以扇区为单位清除数据，而不是以Bit或者Byte为单位访问。在写入资料时必须先将原本的资料清除掉，然后才能再写入新的资料，写入资料的速度太慢。

  擦除操作
  将位0变为1称为擦除，擦除只能按照Flash的扇区进行

  写操作
  将位1变为0称为写，写可以按地址进行

• Flash Emulation EEPROM
  EEPROM啥都好，就是太贵，于是人们想到了让便宜的Flash模仿EEPROM，让只能按扇区擦除的Flash具有按地址擦除的能力。

  综上，可以看出ROM存储器是不断地在发展进化的，最后有了Flash Emulation EEPROM这一类的存储器，而我们今天讲的TC275芯片的DFLASH就是这种存储器，集合了各种优点。对了，上述内容大多来自这篇文章： link，对微控制器的存储介绍得太全面了，字字珠玑，大家可以参考一下这篇文章。

1.2 RAM存储器

Random Access Memory，随机存储器，代表了一种能读、能写、能改的设备。RAM这个词是因为可以按寻址读取和擦写，区别于早期的计算机曾经使用顺序读写的磁鼓和磁带作为内存。他的种类特别多，主要代表有硬件家族中的内存条、CPU的一二级缓冲，设备断电后，RAM中存储的数据就会丢失。

RAM则用来存取各种动态的输入输出数据、中间计算结果以及与外部存储器交换的数据和暂存数据。运行游戏、程序速度快慢看的是RAM，也就是动态内存，不是看ROM。

本文讲的主要是DFLASH，它是Flash Emulation EEPROM，ROM存储器的一种，因此对于RAM存储器在此就不多做赘述了，想要深入了解的可以上面我提到的文章，讲得特别好。

2、TC275芯片存储器介绍

从图中可以看出，TC275芯片有PFlash和DFlash这两种FLASH，Pflash用于存储程序代码和只读数据；而Dflash则用于存储应用程序中的可变数据Dflash允许在运行时对数据进行擦除和编程，以满足应用的需求。其中PFlash有PF0和PF1，DFlash有DF0和DF1，今天我们着重介绍一下DFlash：

• DF0：是所有CPU共用的数据区，一共400KB的空间。其中包含了EEPROM和UCB（User Configuration Block两个模块，其中UCB就是用户可以设置密码用来擦写的区域。

  EEPROM一共分为48个Sector，每个Sector为8KB，一共384KB的空间，偏移地址为0xAF00 0000。
  

  UCB一共分为16个Sector，每个Sector为1KB，一共16KB的空间，偏移地址为0xAF10 0000。
  

• DF1：是Hardware Security Module的数据区， 分为8个Sector，每个Sector为8KB，一共64KB的空间，偏移地址为0xAF11 0000。
  
  

3.代码配置

这里我先在ADS编译环境中导入有关TC275芯片DFlash实现的例程，可以发现例程中它将DFlash和PFlash结合到一起的，我们可以先屏蔽调有关PFlash的代码。

• 可以先不用看以下函数：

void initLEDs(void);            /* Function that initializes the LEDs                                               */
void writeProgramFlash(void);   /* Function that flashes the Program Flash memory calling the routines from the PSPR*/
void verifyProgramFlash(void);  /* Function that verifies the data written in the Program Flash memory              */

1.写入数据

代码如下：

void write_CURRENTPI_DataFlash(void)
{

    uint16 endInitSafetyPassword = IfxScuWdt_getSafetyWatchdogPassword();

     /* Erase the sector */
     IfxScuWdt_clearSafetyEndinit(endInitSafetyPassword);        /* Disable EndInit protection                       */
     IfxFlash_eraseMultipleSectors(DFLASH_STARTING_ADDRESS_CURRENTPI, DFLASH_SECTORS_CLAERNUM); /* Erase the given sector  DFLASH_NUM_SECTORS         */
     IfxScuWdt_setSafetyEndinit(endInitSafetyPassword);          /* Enable EndInit protection                        */

     /* Wait until the sector is erased */
     IfxFlash_waitUnbusy(FLASH_MODULE, DATA_FLASH_0);

      uint32 pageAddr = DFLASH_STARTING_ADDRESS_CURRENTPI + (page_Offeset_0 * DFLASH_PAGE_LENGTH); /* Get the address of the page     */


     /* Enter in page mode */
     IfxFlash_enterPageMode(pageAddr);

     /* Wait until page mode is entered */
     IfxFlash_waitUnbusy(FLASH_MODULE, DATA_FLASH_0);

     /* Load data to be written in the page */
     IfxFlash_loadPage2X32(pageAddr, CURRENT_KP,CURRENT_KI); /* Load two words of 32 bits each            */

     /* Write the loaded page */
     IfxScuWdt_clearSafetyEndinit(endInitSafetyPassword);    /* Disable EndInit protection                       */
     IfxFlash_writePage(pageAddr);                           /* Write the page                                   */
     IfxScuWdt_setSafetyEndinit(endInitSafetyPassword);      /* Enable EndInit protection                        */

     /* Wait until the data is written in the Data Flash memory */
     IfxFlash_waitUnbusy(FLASH_MODULE, DATA_FLASH_0);
}

该处是用来写入电流PI参数的代码，其中需要注意以下几个函数接口的使用：

• IfxFlash_eraseMultipleSectors(DFLASH_STARTING_ADDRESS_CURRENTPI, DFLASH_SECTORS_CLAERNUM)

  在数据写入之前必须要先擦除该区域的数据，该例程中是按扇区来擦除的，其中DFLASH_STARTING_ADDRESS_CURRENTPI表示起始地址，根据上文的图片这里我选择的是 0xAF006000，DFLASH_SECTORS_CLAERNUM表示擦除扇区的数目是1。

  这个函数实现的就是从起始地址0xAF006000开始擦除1个扇区。

• uint32 pageAddr = DFLASH_STARTING_ADDRESS_CURRENTPI + (page_Offeset_0 * DFLASH_PAGE_LENGTH)

  这里需要着重说的是page_Offeset_0和 DFLASH_PAGE_LENGTH，DFLASH_PAGE_LENGTH表示每次根据起始地址偏移的大小，因为后面例程提供的是一次性写入64位的数据即8个字节的函数，可编程的最小单位为8个字节，同时一个地址刚好能存8位的数据，为了最大的利用DFlash的空间，这里我选择的是8个字节，

  而page_Offeset_0则表示偏移的次数，这里我选择的是1。

• IfxFlash_loadPage2X32(pageAddr, CURRENT_KP,CURRENT_KI)
  这里是将CURRENT_KP,CURRENT_KI两个32位的数据合并为64位的数据存放在之前定义的地址当中。

2.读取数据

代码如下：

#define MEM(address)                *((uint32 *)(address))      /* Macro to simplify the access to a memory address */
void ReadDataFlash_Calibration(void)
{
    uint32 Addr_offset = 4;                                         /* Variable to cycle over all the words in a page   */
	CurrentKP_Read = MEM(pageAddr_CurrentKPI);
    CurrentKI_Read = MEM(pageAddr_CurrentKPI+Addr_offset);
}

由于是数据是两个32位合成的，因此利用定义的宏函数MEM对相对应的地址进行解引用，同时每次读取4个字节的数据即可将每一个数据完整的读取出来了。

总结

TC275芯片拥有着丰富的存储空间，对于DFlash组件来说，我们仔细阅读手册，确定好起始地址，以及空间大小再根据相关例程便可以实现相关参数的存储，下图是我利用CAN总线在上位机进行参数的修改和存储，成功实现电流PI参数的掉电存储。