学习目标:
线性稳压电源的设计思想
学习内容:
线性稳压源
理想下的线性稳压电源有以下特点:①输出阻抗为0;②输出电压恒定。
质量指标:反映了稳压源中对各项因素的抑制能力
①Vi的变化,输入电压(供电电压)的波动时Vo的变化,反映了输入波动时的抑制能力
②当负载电流变化时,Vo产生波动,等效为输出阻抗的变化
③温度系数
④输出
⑤载波电压
设计思想:同相放大器
参考此同相放大器,具有以下几个特征:
①Vo与供电电压无关,供电电压指的是放大器VCC,
②输出阻抗→0,Rof=Ro/(1+AF),A→
③Vo的温度系数跟随与Vi(VR)的温度系数,Vi的温度系数取决于基准电压温度系数
当以基准源电压为输入,可获得近似理想的电压源输出,但是,其输出电流较小,需做电流扩展。解决措施:射极跟随器。
此时,温度系数受电压调整管Vo1影响,并且输出阻抗由(R1+R2)与跟随器射极电阻并联构成。于是将电路结构调整如下:
以上,为线性稳压电源的放大器视角。
通用结构(稳压电源视角)
主要结构有:基准电压源、电压调整管(射极跟随管)、取样网络(负反馈网络)、误差放大器(集成运放)。
利用虚短特性,保障VFE(取样电压)与基准电压一致,用负反馈消除电压差,修调。
由于输入、电压调整元件、负载构成串联回路,故称串联型线性稳压源。
除此之外,还有快速启动电路与保护电路。
快速启动电路
VCC对发射极输出电容进行预充电,当电路真正工作时,使得Vo能快速上升,当Vo上升到预期值时,再对快速启动电路断开。
保护电路
电路毁坏的主要原因
①供电电压太高,晶体管发生击穿。此时需要进行过压保护。
②超过最大电流,需要电流保护。
③由于能量会以热的形式释放出来,器件会发生过热,此时需要过热保护。
PN结单向导电性的原理:多数载流子远大于少数载流子,温度的上升会使得PN结发生热激发,导致空穴与电子成对出现,当出现的空穴与电子浓度不断上升时(300°),PN结中多子与少子浓度趋于一致,单向导电性消失,电路不会正常工作。
一般,设立的最高结温为175°。
过压保护应用性很少,在工程上,过压保护电路无法设计在芯片内部,且高压烧毁包含了非人为因素,比如雷击。
过热保护
IC设计中,通常设定芯片最高结温为摄氏175度。热切断保护电路由R3、RT、T0构成,其中RT为温度电阻,通常由外延层体电阻(扩散电阻)承担,与T0发射结组合承担温度检测功能,当温度上升时,VB上升,正向结压降VBE下降,设定当温度达到175度时,T0饱和导通,电压调整管截止,达到切断输出的目的。
值得注意的两点:
①温度敏感元件应放在发热元件(电压调整管)旁边,检测其温度。
②切断和恢复应该有迟滞区,且两者温度不一致,恢复温度比切断温度低,利用迟滞电压比较器进行迟滞。
过流保护
过流保护分为:切断保护、限流保护、减流保护、安全工作区保护。
简单限流保护
取样电阻RSC对负载电流取样,转换为电压信号,达到保护阈值则驱动保护晶体管T0导通,对负载驱动分流构成保护。
保护启动后,RSC上电压被正向结钳位输出电流被限定在保护阈值,当电压继续提升,电流继续增大时,多出的电流将经过T0(电压上升,T0的导通能力将增强)进行输出,Tl不变。
故称简单限流型保护,误差放大器输出阻抗对保护晶体管限流作用。
也可利用晶闸管的锁定效应,来构成保护电路。
安全工作区保护
晶体管的极限工作条件包括最大工作电流、最大耗散功率,因此电流保护阈值应该随管压降的大小而调整。将保护启动电压分为两个组成部分,其一通过取样电阻RSC与负载电流建立联系,其二通过R1、R2分压与VCE建立联系。
当管压降VCE较大时,保护启动的阈值电流下降,保证晶体管的使用功率小于最大耗散功率,起到了安全区保护的作用。
由于有Iomax=Vbe/Rsc=(Vbe-aVce)/Roc
Vce为电压调整管两端电压,通过电阻R1R2进行分压,分压比为a。
当Pc↑,Vce↑,使得Iomax↓,以此来维持稳定。
稳压管的作用:当Vce较小时,不考虑功耗,只考虑容量,R1R2线路不起作用;
当输出为互补二极管时,安全工作区保护电路如下:
上半轴由于有电流源限流,所以电路结构如图,下半轴电路结构由于没有电流源进行限流,电路需要如此改进,如果只是简单的堆成结构,电路将发生短路。
改进电路效果如上图:当输出电流上升,保护二极管电流上升,利用电流镜投射到输入端,输入端电压减小,反向放大后电压增大,使得输出电压增大…
值得注意的是,一旦保护电路启动,整体电路的原有功能将不成立了,保护电路的作用,是为了电路不被烧毁。