ROM RAM FLASH之间概念辨析

ROM(Read Only Memory)只读存储器

ROM又称只读存储器，它是一种只能读出事先所存的数据的固态半导体存储器。只能读出信息而无法写入信息，信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，数据也不会丢失，所以又称固定存储器。ROM所存数据通常是装入整机前写入的，整机工作过程中只能读出，不想随机存储器随意改写存储内容。结构简单，常用于存储各种固化程序和数据。

MASK POM掩膜编程的只读存储器

MASK ROM中存储的信息有生产厂家在掩膜工艺中吸入。内容固定，掉电后信息依旧存在，信息一次写入后就不能修改。

PROM(Programmable ROM)可编程只读存储器

PROM称为可编程只读存储器，允许用户通过专用的设备(编程器)一次性写入自己所需要的信息，一般可编程一次，PROM出厂时各个存储单元皆为1或0。
PROM种类较多，需要用电或光照的方法来编写与存放的程序和信息，但仅仅只能编写一次，第一次写入的信息就被永久性的保存下来。

EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)可编程可擦除只读存储器

EPROM可以多次编程，是一种以读为主的可写可读的存储器，用户可以根据自己将自己的内容去擦除ROM。EPROM比PROM跟家灵活，但是采用MOS管，速度较慢。其需先通过紫外线灯方法将原存的信息擦除，然后用写入器重新写入信息。

EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)电可擦除可编程只读存储器

EEPROM是一种随时可写入而无需擦除原先内容的存储器，其写操作比读操作时间要长得多。修改时只需使用普通的控制、地址和数据总线。

RAM(Random Access Memory)随机访问存储器

RAM也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。可以随时读写，速度很快。通过作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时，可以随时从任何一个指定的地址写入或读出数据。但是，RAM有数据易失性，一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。

SRAM静态随机存储器

静态随机存储器 SRAM 的存储单元以锁存器来存储数据，见图 23-4。这种电路结构不 需要定时刷新充电，就能保持状态(当然，如果断电了，数据还是会丢失的)，所以这种存 储器被称为“静态(Static)”RAM。

DSAM动态随机存储器

动态随机存储器 DRAM 的存储单元以电容的电荷来表示数据，有电荷代表 1，无电荷 代表 0，见图 23-2。但时间一长，代表 1 的电容会放电，代表 0 的电容会吸收电荷，因此 它需要定期刷新操作，这就是“动态(Dynamic)”一词所形容的特性。

FLASH(FLASH EEPROM)存储器

Flash存储器又称闪存，是EEPROM的一种，结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电可擦除(EEPROM)的性能，还不断电丢失数据同时可以快速读取数据。与EEPROM的区别是，FLASH按扇区(block)操作，EEPROM按照字节操作。FLASH常常用于程序存储器。

在STM32中的体现

在stm32以及各类单片机芯片的数据手册中，都会包含FLASH以及SRAM的大小信息。
FLASH存放编写好的程序
SRAM，程序的变量以及堆栈的开销都用到了它。
在Keil中进行编译时，会出现以下信息

其中：
code：是程序中代码所占字节大小
RO-data：程序只读的变量，指的是带const以及已初始化的字符串等
RW-data：已初始化的可读写全局/静态变量
ZI-data：未初始化的可读写全局/静态变量
程序所占FLASH空间大小=Code+RO-data+RW-data
程序固定占用RAM大小=RW-data+ZI-data