Hspice 反相器仿真

反相器电路图

仿真网表(输入脉冲信号)：

.title inverter

.subckt inverter vdda gnda in out
MP0 out in vdda vdda P_18_LL W=20u L=180n m=1
MN0 out in gnda gnda N_18_LL W=10u L=180n m=1
.ends  //反相器描述

x1 vdda gnda in out inverter //调用子电路
vvdda vdda 0 1.8
vgnda gnda 0 0
vvin in 0 pulse(0 1.8 0.1n 0.1n 0.1n 0.5u 1u) //输入脉冲信号（初始值 脉冲值 延迟时间 上升时间 下降时间 脉冲宽度 周期）
.temp 27
.op
.tran 0.1n 5u  //瞬态仿真
.lib c18vmos001.lib TT //工艺库模型信息，工艺角为TT

//工艺库模型：https://download.csdn.net/download/wu20093346/15790695

.option post accurate probe
.probe v(in) v(out)
.end

仿真结果：

仿真网表(输入正弦信号)：

.title inverter

.subckt inverter vdda gnda in out
MP0 out in vdda vdda P_18_LL W=20u L=180n m=1
MN0 out in gnda gnda N_18_LL W=10u L=180n m=1
.ends

x1 vdda gnda in out inverter
vvdda vdda 0 1
vgnda gnda 0 0
vvin in 0 sin(0 1 10hz 0 0 0) // （直流偏置 幅度 频率 延迟时间 阻尼因子 相位延迟）
.temp 27
.op
.tran 0.01 1
.lib c18vmos001.lib TT

.option post accurate probe
.probe v(in) v(out)
.end

反相器中NMOS为驱动管，PMOS为负载管。NMOS栅源开启电压为正值，PMOS栅源开启电压为负值。输入正弦信号，当Vin<Utn时，NMOS截止，PMOS导通，导通内阻很低，Vout=Vdd输出高电平；当Vin>Utn时，NMOS导通，Vout=0。