自举电路学习(一)

1  什么是自举电路?

  利用晶体管,电容,电阻等元器件,通过上电时序等控制,使自举电容实现低电位充电,高电位放电,得到所需的高压(针对同一参考平面)。

自举电路由一个自举二极管,一个自举电容和一个限流电阻组成。如图1所示,其使用自举电容作为驱动P侧IGBT的控制电源。自举电容提供P侧器件开通时栅极充电所需电荷,并提供P侧驱动IC中逻辑电路消耗的电流。

                                                                 图1 自举电路电路图

2  为什么用自举电路?

    对于三相逆变电路的驱动,通常需要四路相互隔离的控制电源(三路用于P侧驱动,一路用于N侧驱动)。通过自举电路省掉了上桥的隔离驱动电源,实现浮动控制电源可以将隔离电源的数量从四路减少到一路(N侧控制电源),有效的降低了成本。

如图2所示,由于采用自举电容代替隔离电源,它的供电能力是受到限制的。所以这个利用自举电路实现的浮动电源只适用于对电源电流要求较小的器件

自举电路仅适用与小功率IGBT驱动场合,大功率IGBT驱动场合一般是不适用的,大功率IGBT由于有较大的拖尾电流,需要负压关断,自举电路无法产生负压。

                                                                   图2 自举电路电路图

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对于三相逆变电路的驱动, 对于三相逆变电路的驱动, 对于三相逆变电路的驱动, 对于三相逆变电路的驱动, 对于三相逆变电路的驱动, 对于三相逆变电路的驱动, 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 控制 电源 (三路用于 P侧驱动,一 侧驱动,一 侧驱动,一 侧驱动,一 路用于 N侧驱动 侧驱动 )。通过 自举电路 自举电路 实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一(N侧控制电源 侧控制电源 侧控制电源 )。 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 1-1所示,其使用 所示,其使用 所示,其使用 自举电容作为 自举电容作为 自举电容作为 自举电容作为 驱动 P侧 IGBTIGBTIGBTIGBT和 MOSFETMOSFETMOSFET MOSFET 的控制电源。 控制电源。 控制电源。 自举电容提供 自举电容提供 自举电容提供 P侧器件开通 侧器件开通 时栅极充电 栅极充电 栅极充电 所需电荷 所需电荷 ,并提供 ,并提供 ,并提供 P侧驱动 侧驱动 IC 中逻辑电 逻辑电 路消耗的 消耗的 电流。如图 电流。如图 电流。如图 1-2所示 ,由于 ,由于 采用 自举 电容代替 电容代替 隔离 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 所以这个利用自举 所以这个利用自举 所以这个利用自举 所以这个利用自举 电路实现的 电路实现的 浮动电源 浮动电源 只适用于像 适用于像 适用于像 DIPIPMDIPIPMDIPIPMDIPIPMDIPIPMDIPIPM这样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 。 逆变过 程中当输出端 程中当输出端 程中当输出端 (U/V/W)(U/V/W)(U/V/W)(U/V/W)(U/V/W)(U/V/W) 电位会 电位会 拉低到 拉低到 GNDGNDGND附近 时,N侧 15V15V 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量限流电阻等制 限流电阻等制 限流电阻等制 使自举电容 自举电容 自举电容 可能 不能完全充电。 不能完全充电。 不能完全充电。 不能完全充电。 充电 不完全 不完全 将 导致的自举电容欠压,进而使 导致的自举电容欠压,进而使 导致的自举电容欠压,进而使 导致的自举电容欠压,进而使 导致的自举电容欠压,进而使 导致的自举电容欠压,进而使 模块工作 模块工作 模块工作 进入欠压保护 进入欠压保护 进入欠压保护 进入欠压保护 状态。 状态。 由于驱动电压降低, 由于驱动电压降低, 由于驱动电压降低, 由于驱动电压降低, 由于驱动电压降低, P侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 入欠压保护而停止开关。 入欠压保护而停止开关。 入欠压保护而停止开关。 入欠压保护而停止开关。 入欠压保护而停止开关。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。

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