CMOS门基本工作原理

绝缘栅型场效应管简称MOS管，与双极性晶体管构成的TTL门电路相比，具有工艺简单，容易集成，输入阻抗高，功耗低，噪声小等优势。

除了构成门电路以外，还能构成双向开关，实现数字信号的双向传输，还可以传递连续变换的模拟信号，利用MOS管的极间电容存储电荷效应，还可以组成动态存储器件

用MOS管构成的集成电路，分为PMOS集成电路、NMOS集成电路、互补型MOS（CMOS）集成电路。由于CMOS具有更低的功耗，更快的工作速度，所以CMOS集成技术成为当今数字集成电路的主流技术。广泛的应用于大规模集成电路以及超大规模集成电路，存储器和微处理器中

一、MOS管的工作原理回顾

以N沟道增强型MOS管为例，它是在P型半导体表面涂上一层很薄的二氧化硅绝缘层，在绝缘层表面连接铝电极作为栅极G。在半导体表面生成俩块高掺杂的N型区域，N型区域分别接出俩个电极，其中与P型衬底短接的是源极S,另一个是漏极D.

这俩个N型区域与P型半导体在交界面处形成2个PN结，相当于俩个背靠背的二极管。在漏极和源极之间加一个直流电压源（漏源电压），此时无论漏源电压的极性如何，这俩个PN结总有一个处于反偏，即使栅极源极短接，在漏源电压的作用下，靠近漏源这一侧的PN结，还是反偏截止的，没有电流产生，此时MOS管工作于截止区。D和S之间呈现高阻态（相当于开关断开）。

将栅极和P型半导体看作是一个平