FET分析

以N沟道结型FET为例：

gate、source 和drain三极的电位可以排列大小的

首先Ug假设远小于Us、Ud,这时候FET两端都关闭，没有电流，这就是截止状态；

然后Ug不停增加，当FET有电流时，此时和次高电位的电极之间的电位为夹断电压，该次高电极这是就是源极，此时：

Ug-Us=Ugs(off)

在这种情况下电位最高的电极为漏极，其电位可以和Us相同，也可以比Us大，若Ud不停的增加，漏极电流也是不停增加的。

Ud停止变化，Ug继续增加，在Ug到达Us前，若Ugd<Ugs(th)此时FET处于可变电阻区，若Ugd>Ugs(off)此时FET处于恒流区

Ug=Us此时是一个临界状态，此时若Ugd<Ugs(th)此时FET处于恒流区，若Ugd>Ugs(off)此时FET处于可变电阻区

当Ug>Us时,处于异常状态了，相当于PN结正向导通。

以N沟道耗尽型FET为例：

gate、source 和drain三极的电位可以排列大小的

首先Ug假设远小于Us、Ud,此时无反型层形成，渗杂正离子的SiO2绝缘层作用不显，这时候FET两端都关闭，没有电流，这就是截止状态；

然后Ug不停增加，当FET有电流时，此时和次高电位的电极之间的电位为夹断电压，该次高电极这是就是源极，此时：

Ug-Us=Ugs(off)

在这种情况下电位最高的电极为漏极，其电位可以和Us相同，也可以比Us大，若Ud不停的增加，漏极电流也是不停增加的。

Ud停止变化，Ug继续增加，在Ug到达Us前，若Ugd<Ugs(off)此时FET处于可变电阻区，若Ugd>Ugs(th)此时FET处于恒流区

Ug=Us时时，渗杂正离子的SiO2绝缘层还是可以吸引电子形成反型层的，此时若Ugd<Ugs(th)此时FET处于可变电阻区，若Ugd>Ugs(th)此时FET处于恒流区

当Ug>Us时,若Ugd<Ugs(off)此时相当于一端关闭一端打开，此时FET处于恒流区，若Ugd>Ugs(th)此时FET处于可变电阻区（Ug可以大于Ud），Ud无上限只受功耗限制。这不是PN结正向导通！

以N沟道增强型FET为例：

gate、source 和drain三极的电位可以排列大小的

首先Ug假设远小于Us、Ud,此时无反型层形成，渗杂正离子的SiO2绝缘层作用不显，这时候FET两端都关闭，没有电流，这就是截止状态；

然后Ug不停增加，当Ug和次高电位的电极之间的电位相同时，无反型层形成，该次高电极这是就是源极。

Ug继续增加，当FET有电流时，反型层形成，此时和次高电位的电极之间的电位为开启电压，此时：

Ug-Us=Ugs(th)

若Ugd<Ugs(th)此时相当于一端关闭一端打开，两种作用平衡，此时FET处于恒流区，若Ugd>Ugs(th)此时FET处于可变电阻区（Ug一定大于Ud），Ud无上限只受功耗限制。这不是PN结正向导通！

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上述内容似乎有些扯淡！

晶体管的放大、饱和、截止很好记：

放大状态：发射结正偏，集电结反偏

场效应管呢：

恒流：栅源反偏，栅漏正偏

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以上自己随便写写的，看拉扎维的：

这才厉害