ymodem的内部falsh和外部falsh的写入函数的不同，带来的外设传输1024字节不能传输问题

M2的ymodem写falsh（sFLASH_WritePage）

/**
​
- @brief  Writes more than one byte to the FLASH with a single WRITE cycle 
- (Page WRITE sequence).
- @note   The number of byte can't exceed the FLASH page size.
- @param  pBuffer: pointer to the buffer  containing the data to be written
- to the FLASH.
- @param  WriteAddr: FLASH's internal address to write to.
- @param  NumByteToWrite: number of bytes to write to the FLASH, must be equal
- or less than "sFLASH_PAGESIZE" value.
- @retval None
  */
  void sFLASH_WritePage(uint8_t* pBuffer, uint32_t WriteAddr, uint16_t NumByteToWrite)
  {
    /*!< Enable the write access to the FLASH */
    sFLASH_WriteEnable();
​
  /*!< Select the FLASH: Chip Select low */
  sFLASH_CS_LOW();
  /*!< Send "Write to Memory " instruction */
  sFLASH_SendByte(sFLASH_CMD_WRITE);
  /*!< Send WriteAddr high nibble address byte to write to */
  sFLASH_SendByte((WriteAddr & 0xFF0000) >> 16);            //第一步
  /*!< Send WriteAddr medium nibble address byte to write to */
  sFLASH_SendByte((WriteAddr & 0xFF00) >> 8);               //第二步
  /*!< Send WriteAddr low nibble address byte to write to */
  sFLASH_SendByte(WriteAddr & 0xFF);
​
  /*!< while there is data to be written on the FLASH */
  while (NumByteToWrite--)                                   //第三步
  {
    /*!< Send the current byte */
    sFLASH_SendByte(*pBuffer);
    /*!< Point on the next byte to be written */
    pBuffer++;
  }
​
  /*!< Deselect the FLASH: Chip Select high */
  sFLASH_CS_HIGH();
​
  /*!< Wait the end of Flash writing */
  sFLASH_WaitForWriteEnd();
}
//nor_falsh,页编程

页编程两种方式：Page Program和Quad Page Program (32H)

SPI Flash仅支持页编程（GDP5Q28E页大小256字节），所有其它大批量数据的写入都是以页为单位。这里注意所说的页编程含义，页编程分为以上代码的三步。

页编程的含义恰恰就体现在第3步了，如果用户设置的“起始地址+数据长度”所确定的地址范围超过了此起始地址所在的页，地址自增不会超过页范围，而是重新回到了此页的首地进行编写。

注：擦除大小最小为一个扇区（4KB）

页回卷

许多SPI Flash设备来说，单次页编程操作通常限于页的最大容量。如果尝试写入的数据量超过了页的限制，那么超出的部分数据将不会被写入，或者可能导致写入操作失败。此外，如果未正确管理地址，写入操作可能会覆盖之前存储的数据，导致数据丢失。

如何处理超过页大小的数据写入？

1.分页写入： 首先，确定SPI Flash的页大小。 然后，将需要写入的数据分割成多个不超过页大小的数据块。 对于每个数据块，使用页编程命令将其写入到Flash的相应页中。 在写入每个数据块之前，确保指定了正确的页地址。

2.地址管理： 使用循环或递增的方式来管理地址，确保每次写入操作都指向正确的页。 在写入完一个页后，更新地址以指向下一个页。

3.错误处理： 检查写入操作的状态，确保数据已正确写入。 如果发生错误（如地址超出范围、写入失败等），则采取适当的错误处理措施。

4.考虑边界情况： 如果写入的数据量恰好是页大小的整数倍，则处理起来相对简单。 如果写入的数据量不是页大小的整数倍，则最后一个页可能只被部分写入。在这种情况下，需要特别小心以确保不会覆盖或丢失数据。

M2_BOOT的ymodem写入falsh函数（FLASH_If_Writ）

​
/**
​
- @brief  This function writes a data buffer in flash (data are 32-bit aligned).
- @note   After writing data buffer, the flash content is checked.
- @param  FlashAddress: start address for writing data buffer
- @param  Data: pointer on data buffer
- @param  DataLength: length of data buffer (unit is 32-bit word)
- @retval 0: Data successfully written to Flash memory
- 1: Error occurred while writing data in Flash memory
- 2: Written Data in flash memory is different from expected one
    */
  uint32_t FLASH_If_Write(__IO uint32_t* FlashAddress, uint32_t* Data ,uint32_t DataLength)
  {
    uint32_t i = 0;
    for (i = 0; (i < DataLength) && (*FlashAddress <= (USER_FLASH_END_ADDRESS-4)); i++)
    {
  /* Device voltage range supposed to be [2.7V to 3.6V], the operation will
     be done by word */
  if (FLASH_ProgramWord(*FlashAddress, *(uint32_t*)(Data+i)) == FLASH_COMPLETE)
  {
   /* Check the written value */
    if (*(uint32_t*)*FlashAddress != *(uint32_t*)(Data+i))
    {
      /* Flash content doesn't match SRAM content */
      return(2);
    }
    /* Increment FLASH destination address */
    *FlashAddress += 4;
  }
  else
  {
    /* Error occurred while writing data in Flash memory */
    return (1);
  }
    }
​
  return (0);
}

上述两个代码段的主要区别在于它们操作的Flash类型、数据写入的方式以及是否直接处理Flash的物理层细节。

第一个代码段 (sFLASH_WritePage)

• 操作对象：很可能是通过SPI或其他串行接口连接的外部串行Flash。

• 数据写入方式：按字节（byte）为单位进行写入，这反映了SPI Flash通常的写入模式。

• 地址处理：直接通过发送地址字节来指定写入位置，包括地址的高位、中位和低位字节。

• 物理层交互：直接控制Flash的片选（CS）信号、发送写入指令和地址字节，以及数据字节，这显示了与Flash硬件的直接交互。

• 错误处理：通过sFLASH_WaitForWriteEnd()函数等待写入操作完成，但代码中未直接显示写入失败的错误处理逻辑（可能包含在sFLASH_WaitForWriteEnd()内部）。

• 抽象级别：较低，需要处理与Flash硬件直接交互的所有细节。

第二个代码段 (FLASH_If_Write)

• 操作对象：可能是微控制器（MCU）内部集成的Flash存储器，或者是一个通过某种接口（如SPI、QSPI等）连接的外部Flash，但函数内部使用了HAL库或类似的抽象层来隐藏物理层细节。

• 数据写入方式：按uint32_t（即4字节）为单位进行写入，这可能是因为内部Flash或外部Flash接口支持按字（word）或更大的块大小进行写入。

• 地址处理：通过指针算术来递增Flash地址，而不是直接发送地址字节。

• 错误检查：在写入后验证Flash中的数据是否与预期匹配，增加了数据完整性的检查。

• 抽象级别：较高，隐藏了与Flash硬件直接交互的细节。

总结

两个代码段的主要区别在于它们操作的Flash类型、数据写入的方式、地址处理的方式、错误检查的详细程度以及抽象级别的不同。第一个代码段更适合于处理内部Flash或高度抽象化的外部Flash接口，而第二个代码段则更直接地反映了与SPI Flash等外部串行Flash的交互过程。