纯干货：有效质量 | VASP零基础实用教程

有效质量（Effective mass），是用来方便引入经典力学的解决方法牛顿第二定律的一种近似。它近似认为电子受到原子核的周期性势场（这个势场和晶格周期相同）以及其他电子势场综合作用的结果。将晶体中电子的加速度与外加的作用力联系起来，并且包含了晶体中的内力作用效果。有效质量并不代表真正的质量，而是代表能带中电子受外力时，外力与加速度的一个比例系数（在准经典近似中，晶体电子在外力F*作用下具有加速度a*，所以参照牛顿第二定律定义的m*=F*/a*称作惯性质量）。半导体中的电子即使在没有受到外加电场的作用下，它也受到内部原子和电子的势场作用。引入有效质量的意义在于它包含了半导体内部势场作用，在研究外部作用力下的电子运动规律时可以不用考虑内部势场作用。我们在计算载流子迁移率的时候需要先得到有效质量，因此我们讲一下如何计算有效质量。

我们这里介绍了两种方法计算有效质量，一种方法是通过VASPKIT来计算，另外一种方法是通过一个名为sumo的小程序计算。

VASPKIT计算有效质量的方法笔者已经实现过，但是文章尚未发表，所以算例暂时不能给出，这里引用网上单层MoS2的例子说一下计算方法。首先通过分析能带结构找出价带顶(VBM)和导带底(CBM)的位置。对于单层MoS2，其价带顶和导带底均位于高对称点K点处。计算K 点处沿着K -> Γ 和K -> M 方向的电子及空穴载流子的有效质量。

单层MoS2的能带结构

第一步：准备POSCAR文件以及VPKIT.in 文件，VPKIT.in 文件包含以下内容；

第二步：运行VASPKIT 并选择912 或者913 产生KPOINTS，POTCAR 文件及静态计算INCAR 文件；

第三步：提交VASP 作业；

第四步：计算完成后把VPKIT.in 文件中第一行的1 修改为2，然后再次运行VASPKIT 并选择913，得到以下结果：

注意：如果价带顶和导带底存在简并，例如GaAs 和GaN 等材料，这时候很难保证精度。

下面说一下如何用sumo计算有效质量。关于sumo的下载及安装方法附在文后链接。前面的步骤基本和VASPKIT一致，准备POSCAR文件，准备INCAR，KPOINTS以及POTCAR文件，进行非自洽计算。计算之后在Terminal输入“sumo-”，连续点击两次Tab键，这时会显示sumo的功能，选择sumo-bandplot可以输出能带结构图，sumo-dosplot可以输出态密度图，sumo-bandstats则可以查看VBM，CBM以及有效质量等数据。

这样，两种计算有效质量的方法已经介绍完了，大家可以根据自己的习惯来选择何种方法计算有效质量。

参考资料：sumo：https://sumo.readthedocs.io/en/latest/?badge=latest