碲化汞量子点,HgTe量子点
碲化汞(HgTe)量子点是一种具有独特光电性质的半导体纳米材料。由于其带隙结构和尺寸效应,HgTe 量子点在多个领域展现出广泛的应用前景,尤其是在光电探测、生物成像和量子计算等领域。以下是关于碲化汞量子点的详细介绍:
结构和性质
1.带隙结构:
HgTe 是一种窄带隙半导体材料,其带隙宽度接近零,甚至可以表现为负带隙(即电子能级低于空穴能级),这使得HgTe 量子点具有类金属的性质。
通过控制量子点的尺寸,可以调节其带隙宽度,从而实现对光电性质的调控。
2.尺寸效应:
量子点的尺寸对其光电性质有显著影响。较小的量子点具有较高的能量态密度,表现出更强的量子限制效应,从而改变其光学和电学性质。
HgTe 量子点的尺寸通常在几纳米到几十纳米之间,可以通过不同的合成方法进行精确控制。
3.光学性质:
HgTe 量子点在近红外(NIR)和中红外(MIR)区域具有强烈的吸收和荧光发射,这使得它们在生物成像和光通信中具有重要应用。
它们还表现出高的量子产率和良好的光稳定性。
4.电学性质:
HgTe 量子点具有高载流子迁移率和低电阻,这使得它们在电子器件和量子计算中具有潜在应用。
图:HgTe量子点的材料表征:(a)光学吸收特性和(b)形貌分析
红外探测器能将不可见的红外光信号转变为可识别的电信号,在安防监控、气象监测、自动驾驶、遥感等领域有广泛应用。碲化汞(HgTe)量子点具有红外吸收宽光谱可调、可溶液加工、低成本以及易与硅基电路集成的特点,为新一代低成本红外探测技术的发展提供了新的思路。具有尖锐的激子吸收带边的HgTe量子点是实现高品质量子点材料和高性能红外探测器的基础;同时,材料合成的规模化和工艺可控性也同样重要。但是高品质HgTe量子点在规模化及可控合成方面,仍然存在挑战。因此,开发高品质HgTe量子点的可控、规模化制造工艺具有重要的研究和应用价值。
研究人员通过连续滴定法获得的HgTe量子点具有尖锐的带边吸收,反映了材料具有优异的带尾态特性;同时,其吸收范围覆盖了短、中波红外波段。通过调节表面配体的偶极特性,可以获得掺杂极性可调的HgTe量子点分散液。利用该方法制备了吸收截止位于1.7μm的HgTe量子点材料,并以此为基础构建了高性能的HgTe量子点短波红外探测器,在室温条件下获得的比探测率达到8.1× 1011 Jones。这种连续滴定方法进一步降低了高品质HgTe量子点材料的制备门槛,对推进其商业化应用具有重要价值,同时也为其它量子点材料的可控、规模化制备提供了有益的参考。
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