RRR040P03FRATL infineon 英飞凌

RRR040P03FRATL是RohmSemiconductor生产的P沟道功率MOSFET,具备30V最大电压,40A最大电流和100W功率耗散能力。其低RDS(on)为3.5mΩ,适用于要求高效率和稳定性的DC-DC转换器、电源管理和电机驱动应用。
摘要由CSDN通过智能技术生成

RRR040P03FRATL是一款由Rohm Semiconductor生产的功率MOSFET晶体管,以下是其详细参数:

  • 极性:P沟道

  • 最大漏极-源极电压(VDS):30V

  • 最大漏极电流(ID):40A

  • 最大功率耗散(PD):100W

  • 静态漏极-源极电阻(RDS(on)):3.5mΩ

  • 门极-源极电压(VGS)范围:±20V

  • 最大导通电阻温度系数(dRDS(on)/dT):70mΩ/℃

  • 工作温度范围(TJ):-55℃ ~ 150℃

  • 封装类型:DPAK

RRR040P03FRATL具有低漏极-源极电阻、低导通电阻温度系数、高电流承受能力等特点,适用于高效率DC-DC转换器、电源管理、电机驱动等领域。

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