该文探讨了用于中波红外(MWIR)应用的InAs/InAsSb红外探测器的制作工艺，特别关注了金属沉积、欧姆接触和金属电极在优化探测器性能中的作用。文中还提到了位错滤波超晶格(DFSLs)和吸收层超晶格(ALSL)等关键结构，以及它们对器件性能的影响。此外，还讨论了电子通道对比成像(ECCI)在检测和分析界面错配位错(IMF)和螺纹位错(TDs)中的重要性，以改进器件的集成和读出电路(ROIC)设计。
为了我方便查看，整理一下看文献中，出现的未知英语还有其缩写
主要研究方向为：Mid-wave infrared InAs/InAsSb
词组
金属沉积 Metal Deposition
金属电极 Metal Electrode
电子束蒸发 Electron Beam Evaporation
欧姆接触 Ohmic contact
金属接触 metallic contacts
ALSL：absorption layer superlattice 吸收层超晶格
CLSL：contact layer superlattice 接触层超晶格
DFSLs：dislocation-filter superlattices 位错滤波超晶格
DAs： Detector arrays 探测器阵列
ECCI：Electron channeling contrast images 电子通道对比图像
IMF：interfacial misfit dislocation 界面错配位错
LCCs: leadless chip carriers 无引线芯片载体
PL：Photoluminescence 光致发光
PECs：process evaluation chips 工艺评估芯片
ROIC: readout integrated circuit 读出式集成电路
TDs：threading dislocations 螺纹位错
搜索关键词
Mid-wave infrared (MWIR)
InAs/InAsSb infrared detector
InAs/InAsSb heterostructure detector
Infrared detector fabrication
Metal electrode for InAs/InAsSb detector
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